Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究

本文研究了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的ＭＯＳ结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生，氧化物正电荷建立，Ｓｉ／ＳｉＯ２快界面态增长，慢界面态产生和栅介质电容下降，当终止应力后，前三种损伤在室温下有所恢复，但最后一种损伤没有变化，实验还表明：产生的慢界面态分布在禁带上半部；高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降，对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论，还给出产生的慢界面态对高频电容－     

鲍(Abalone,Haliotis discus hannailno)心肌的微细结构

鲍俗称鲍鱼,自古以来,我国就把鲍列为海产珍品.我国自50年代末北方沿海地区如辽宁、山东等地对皱纹鲍的人工养育、移植、生态习性等进行了系统的研究,并投入群众性生产.80年代后期又开展了工厂化养殖的鲍生产.但是对鲍的正常组织学及超微结构方面的研究在国内尚未见报道.著者在观察鲍的组织切片材料时注意到其心肌组织有不少特殊点,今就观察所及初步整理如下.     

三洋投资150亿日元生产快闪E~2PROM

日本三洋电机公司为了增加生产快闪EZPROM，在生产分公司约投资150亿日元，使目前400万个的生产能力扩大二倍。由于数字摄像机等新型设备的需要增加，生产能力的成倍增加是必要的。新增新泻三洋电子的H条生产线。1997年的半导体设备投资为630亿日元。三洋投资150亿日元生产快闪     

基于FPGA的位同步信号提取

同步是通信系统中一个非常重要的实际问题。在同步通信系统中,同步系统性能的降低会导致通信系统性能的降低,甚至使通信系统不能正常工作。因此,同步是信息能够正确可靠地进行传输的前提。介绍一种基于FPGA的锁相环位同步提取技术的原理,并用VHDL语言编程实现,在QuartusⅡ下编译仿真通过,给出仿真波形图。经分析该设计稳定可靠,且能够完成要求。     

利用EGR技术生成薄膜

半导体制造工艺中的薄膜生长,迄今广泛应用的是热CVD法(Chemical VaporDeposition)和等离子CVD法,而这些方法是在高温状态下进行的,因此,对那些衬底耐热性较差或者经高温处理其性能和可靠性要降低的器件来说,利用这些方法有一定的困难。为了提高大规模集成电路、超大规模集成电路的性能、集成度和成品率,迫切需要一种能在低温下形成高质量薄膜的薄膜生长新技术。     

MASS TRANSPORT IN SOLID TUMORS(Ⅱ)──DRUG DELIVERY

I.Introducti0nlnPart(l),thethree-porous-medium1nodeIisdevelopedtosimulatethebLliddynan1icproblem0ftulbormicrocirculation.Thepressureandvel0citypr0fileofblo0d,lyn1phandinterstitialI1uidarcobtaincLl.Basedol1thescsoltltions,tl1ctral1sl,ortpr0ccss()finbbUbOg10bUlb1G(lgG)anditSal1tigCb-bindil1gfraglbCI1t(Fab)iI2thCl1Orn1al-tlSSuC-surroundcdtunlorareana1yzedibthispapcl'.Thel1nitcclcn1el1tlbetl1odisuscdtos0lvethcdit1'usion-convcctiollequatiol1stogcttbccol1cel1trationproIbeoflgGandFabil1bloo…