凝聚态物理学的新进展Ⅱ

本文综述了凝聚态物理学近年来的重要进展,并举出若干例子予以阐述。第Ⅱ部分主要关注的问题为非周期结构与低维体系的物理学。讨论的课题包括:无序体系中经典波的局域化;分形结构的动力学行为;准周期结构的能谱;量子霍尔效应;二维熔化;有机导体与超导体。     

凝聚态物理学与材料研究的前沿问题

讨论了凝聚态物理学在当代材料研究的前沿问题中所起的作用，首先对，于那些基本物理学业已能晓的常规材料，极好的机会在于设计并制备出微结构和纳米结构，其次，对于具有强关联电子特征的复杂材料，虽则其物理学尚在探索之中，已有迹象表明这将是新材料的“富矿区”，再次，关于有机及聚合物材料，物理学正在向这领域延拓，在设计和制备分子和超分子结构方面，将会提供许多新的可能性。     

钼晶体中的位错线蚀象的研究

实验结果表明,应用甲醇、硫酸、盐酸的混合液为电解浸蚀剂,可以在钼晶体的{100},{111}及{110}面上显示位错蚀斑,而在{111}面及{110}面上同时可以显示出排列成平行线或六方网络的蚀线,这些蚀线被证明为位错线的蚀象。根据观测结果,总结出解释位错线蚀象的经验规律:观测到的蚀象相当于一定深度内位错线在观察面的投影;蚀象的宽度决定于位错线段到原始表面的距离,距离愈远,宽度愈细,类似于一种夸张的光学透视效应,因而根据蚀象就可以直接推出位错线在空间的位置,采用多次浸蚀的方法,对于一些位错空间排列组态的实     

铌酸钡钠晶体中与位错相关的铁电畴

本文报道了对原生态铌酸钡钠晶体中与位错相关的铁电畴的系统观测结果。除沿c轴直线延伸的位错线不存在相关铁电畴外,具有各种形态特征、不同柏格斯矢量、不同走向的所有位错线都存在与之相关的铁电畴。在由交锁带纹状铁电畴构成的“中性”区域内,位错相关铁电畴由分居位错线的c方向两侧、极性相反且极化方向背向位错线的两个铁电畴管道所构成。铁电畴管道的形状与位错线的走向有关,但不因位错线的柏格斯矢量的不同而有明显差异。在较大的单畴区内,只出现与基底铁电畴极性相反的一翼。位错线攀移路径的两侧也存在极性的类似变化。文中还对产生位错相关铁电畴的可能原因进行了分析。     

松林坡往事

1941年9-10月间,正值抗日战争烽火连天的日子,我们搀扶着母亲从福建长汀出发,万里跋涉,途经赣、粤、湘、桂、黔等省,终于安抵重庆．其中长汀到贵阳这段路程,主要依靠姐姐冯慧的照料和安排．到达重庆之后,我们即居住在大哥冯焕的宿舍,位于沙坪坝镇近郊的一所大院内二楼一间斗室,距离中央大学松林坡校舍和小龙坎宿舍区都不远．为了糊口我于1942年4月曾考入位于沙坪坝镇西郊的中央气象局当练习生．当时担任局长的是黄厦千教授,他也兼中央大学气象系主任,指导我工作的顶头上司是王华文先生,他教我对各地台站发来的气象资料进行计算加工,为天气预报做准备工作．当时局里尚有徐尔灏先生,1942年10月份陈其恭先生也到该局工作．1942年7月份我参加中央大学的入学考试,幸蒙物理系录取,到1942年10月份便离开该局到校就读．     

回忆张宗燧先生

1942～1946年,我就读于西迁重庆的中央大学物理系。张宗燧先生1936～1938年留学英伦,入卡文迪什实验室,在福勒(Fowler)教授指导下发表了有关稀固溶体的一系列论文,1938年获得剑桥大学博士学位。1940年回国,被中央大学聘为教授,时年仅25岁。     

硅基多孔氧化铝薄膜的解理断裂特性

近年来,人工制备量子点、量子线等纳米结构材料引起了广泛关注。通常的制备方法有电子束刻蚀、离子束刻蚀、X射线刻蚀、电子全息成像刻蚀等。这类方法所能达到的最低尺度为≥10nm[1]。而阳极氧化多孔氧化铝的最小孔径可达1nm[2],其特征参数如孔径(1～300nm)、孔长(10～300nm)及孔密度(108～1011cm-2)都可以用选择不同腐蚀电压的方法来加以控制,而且孔的长度直径比可达1000以上,所以,作为模板,多孔氧化铝薄膜在纳米材料制备方面有其独到之处。但是,多孔氧化铝薄膜容易卷曲、断裂,这一缺点影响它在纳米工业中的应用。本文利用电镜研究阳极氧…     

原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究

采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.改变a-Si:H层的厚度，首次在室温下观察到来自a-Si:H/SiO2多层膜较强的蓝色光致发光和从465到435nm的蓝移.x射线能谱证明，SiO2层是化学配比的SiO2；C-V特性表明，a-Si:H/SiO2界面得到了很好的钝化；透射电子显微镜表明，样品形成了界面陡峭的多层结构.结合光吸收谱和光致发光谱的研究，对其发光机理进行了讨论.用一维量子限制模型对光致发光峰随着a-Si:H层厚度的减小 关键词： a-Si:H/SiO2多层膜 光致发光     

爱因斯坦对实验和技术物理学的影响(1905-2005)

2004年6月,联合国大会宣布将2005年定为世界物理年．之所以选定2005年,是为了纪念爱因斯坦的奇迹之年100周年——1905年,爱因斯坦先后发表了5篇具有划时代意义的论文而被世人称之为奇迹．世界物理年将通过展示物理学在经济、技术、文化等方面的重要作用,进一步增进公众对物理学的理解．因此,简略介绍爱因斯坦的科学工作在物理学中的杰出贡献及其对世界与公众所产生的深远影响,很有必要．由于前面彭桓武先生已经介绍了爱因斯坦对理论物理学的贡献和影响,下面,我就侧重谈谈爱因斯坦对实验物理学和技术物理学的贡献和影响．拟分4个方面来介绍：     

Pseudo nanocrystal silicon induced .luminescence enhancement in a-Si/SiO2 multilayers

Enhanced photoluminescence （PL） at room temperature from thermally annealed a-Si：H/SiO2 multilayers is observed through the step-by-step thermal post-treatment. The correlation between the PL and the crystallization process is studied using temperature-dependent PL, Raman, cross section high-resolution transmission electron microscopy （XHRTEM） and x-ray diffraction （XRD） techniques. An intensified PL band around 820 nm is discovered from the sample annealed near the crystallization onset temperature, which is composed of two peaks centred at 773 nm and 863 nm, respectively. It is found that the PL band centred at 863 nm is related to the pseudo nanocrystal （p-nc-Si） silicon, and the PL band centred at 773 nm is attributed to Si = O bonds stabilized in the p-nc-Si surface.