7A500VMCT芯片的研制

采用外延片作衬底研制出耐压５００Ｖ，关断电流为７Ａ的ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）芯片。ＭＣＴ芯片是由５０７５个单胞并联而成，它具有ＭＯＳＦＥＴ门极开通，关断功能。     

准分形光子晶体多频带隙的特性及其应用

用时域有限差分方法计算了多种准分形结构光子晶体的能带. 数值计算结果表明, 这些结构的光子晶体存在多频带隙的特点, 且带隙的宽度及中心频率以及带隙中导带的中心频率均随准分形光子晶体单胞内结构单元几何形状的改变而改变.     

TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究

薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明：氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性。结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(R_ITO)及过孔接触电阻(R_contact)组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使R_ITO减小,ITO膜与金属接触面积增大会使R_contact减小。基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关。在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径。     

图形蓝宝石基GaN性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响.测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,x射线摇摆曲线中.其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec.透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带.     

a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究

本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。     

a-Si:N FET的研制

用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.     

过渡层结构和生长工艺条件对Si基GaN的影响

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量，在硅（111）衬底上以HT-AlN为缓冲层，在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构，分为高温变组分AlGaN、GaN、低温AlN、高温变组分AlGaN。在高温生长AlGaN和GaN层中插入一层低温生长AlN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响，为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1．7微米时GaN外延层无龟裂，而厚度不断增加时，GaN外延层产生龟裂。本文研究了AlN缓冲层生长温度、高温变组分AlGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和室温光致荧光光谱（RT-PL）对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整，过渡层的引入有利于降低外延层中应力，提高GaN结晶质量。     

Influence of Growth Temperature and Trimethylindium Flow of InGaN Wells on Optical Properties of InGaN Multiple Quantum-Well Violet Light-Emitting Diodes

An InGaN multiple-quantum-well (MQW) violet-light-emitting diode (LED) is grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition. It is found that photoluminescence wavelength of the InGaN MQW violet LED is lengthened with increasing growth temperature and with the increasing trimethylindium flow of the InGaN wells. The electroluminescence peak wavelength of the violet LED are about 401 nm with full width at half maximum of 14nm, and the output power in injection current of 2OmA at room temperature is 4.1mW.     

含有理想导体的准分形结构光子晶体的能带

用时域有限差分方法计算了一组具有相似几何结构且包含理想金属材料的准分形光子晶体的能带.数值计算结果表明，这种准分形结构光子晶体具有绝对带隙，且带隙的宽度会 随着分形级数的增大而增大.同时，随着级数的增大，其能带在整体地趋向于高频端的同时，能带会被快速拉直而形成孤立的能级. 关键词： 光子晶体 带隙 分形     

一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法

采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底，以形成一定的图案；利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析，结果表明，在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜，其(0002)面上的XRD FWHM为208.80弧秒，(1012)面上的为320.76弧秒.同时，此方法也克服了传统 关键词： 表面处理 MOCVD 横向外延生长 GaN薄膜