车辆人体电磁安全防护标准解析

介绍了汽车领域人体电磁安全防护标准JASO TP-13002:2013、IEC 62764-1在测试频段、测试位置、测试状态等方面的要求。给出了国家标准《车辆电磁场相对于人体曝露的测量方法》草案与国际标准的差异。     

高速电流舵D/A转换器技术发展动态

综合论述了高速电流舵结构D/A转换器设计中的多项关键技术。以近年发表的高速电流舵结构D/A转换器的论文和公开的专利为基础,以电流舵结构D/A转换器设计中所遇到的多种非理想因素为依据,分类介绍了每种关键技术的原理、特点,并给出评价,提出了这些技术在电路级实现时需要考虑的因素。     

含分布式电源的配电网保护与控制实验平台的开发

本文介绍了一种含分布式电源的配电网保护与控制实验平台实现方法,分析了一次与二次系统实现架构,并以孤岛保护功能实现为例,分析了实验设计思路,实践效果良好.     

LBCD课程模式干预下化学职前教师PCK发展实证研究

本研究设计《化学PCK量表式问卷》测查204名化学职前教师在LBCD课程模式干预前后PCK组分水平的变化,并检验问卷的信效度和Magnusson等人提出的PCK五组分模型的合理性。研究结果表明：(1)问卷具有良好的信效度;(2)PCK五组分模型具有一定的合理性;(3)LBCD课程模式对化学职前教师PCK组分发展有统计学意义上的显著促进效果,且各组分的发展呈现出不均衡性。文末据此对化学PCK测评和组分界定,以及化学教师教育提出将LBCD课程模式应用在不同教师群体、参考本研究的方法定量检验其他学者提出的PCK组分模型等建议。     

溶胶-凝胶法合成硅溶胶包覆型均分散纳米β分子筛

在系统考察铝源、反应体系硅铝比、钠离子、反应温度等对分子筛粒度影响的基础上,优化合成条件合成出了粒径为100 nm左右的β分子筛。利用XRD和TEM对所合成样品进行了表征。采用溶胶凝胶法研究了硅溶胶包覆的均分散纳米β分子筛复合材料的合成,结果表明合成产物为纳米β分子筛均匀分散于硅溶胶基质中的微孔-介孔双孔复合材料。     

催化裂解-冷原子吸收法测定固体生物质中汞含量

为开展汞的污染监测和环境治理,本文以我国能源用散状固体生物质为研究对象,建立了催化裂解-冷原子吸收测定汞含量方法。通过试验确定了样品称样量、分解温度和分解时间,方法线性关系良好,线性系数>0.999,检出限0.045ug/kg,方法重复性符合要求,标准样品汞含量在标准值不确定度内,经过F检验和t检验,催化裂解-冷原子吸收法与电感耦合等离子体质谱法不存在显著性差异。试验结果表明催化裂解-冷原子吸收法测定汞含量具备良好的精密度和准确度,可应用于固体生物质中汞的检测     

基于单片机的微球腔温度控制系统的设计

设计了基于ADS1247的铂电阻测温方案,将ADS1247输出的可编程恒定电流作为铂电阻激励源,并采用ADS1247集成的可编程放大器放大铂电阻的电压降,然后将放大器输出的信号进行24位模数转换。升降温通过BTS7960驱动芯片构成的半桥电路分别驱动加热片和制冷片。在控制策略上选用增量式数字PID算法,单片机ATmega128进行控制量计算,输出PWM信号控制驱动电路。电路结构简单,测量精度及稳定性好。软件上采用零点调准、查表和线性插值法进一步实现温度的精密测量。经长时间实验观测,测量误差在0.02℃内,系统温度控制精度优于0.1℃。     

以IMEI/IMSI为水印的手机图像数字水印算法的实现

随着网络、无线通信和摄像机便携设备的快速发展,带来了数字图像很容易散布、复制和修改.针对此类问题,提出一种以手机IMEI/IMSI码为水印信息并嵌入到手机图像的数字水印算法,从而达到手机图像的版权保护.首先获取手机IMEI/IMSI,使用BCD编码将其转换成二进制向量,再使用BCH编码转换成64 ×64水印位图作为水印信息;然后采用离散余弦变换、离散小波变换和奇异值分解结合的算法将水印信息嵌入到手机图像;最后提取水印信息来获取用户的手机信息.实验表明该算法能够实现盲提取,具有良好的不可见性、鲁棒性,能够抵抗一定的压缩、噪声等攻击.     

高斯粒子流滤波器

粒子流滤波器以粒子流速度场描述随机样本从先验分布到后验分布的演化,实现对系统状态的贝叶斯估计.针对其一般解计算复杂、难于滤波求解的问题,导出一种高斯假设条件下的粒子流滤波器.在线性高斯条件下推导了速度场的解析解;证明了当演化步长趋近于0时,该解析解与Kalman-Bucy滤波器的解具有一致的形式;基于该解导出了非线性高斯系统速度场的表达式,并进一步利用Unscented变换近似求解.通过若干仿真算例表明,高斯粒子流滤波器放宽了系统噪声为高斯型的限制,其精度优于经典非线性高斯滤波器,计算复杂度低于一般粒子滤波器,且具有良好的稳定性.     

一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源

在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5 μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32) V,在－35 ℃~125 ℃温度范围内的温漂系数为1.39×10－6/℃;当工作电压为1.8~4.6 V时,输出电压仅变化0.31 mV/V;3 V供电下的功耗为14.69 μW;满足胎压监测芯片的设计要求。