Ab Initio Comparative Study of Zincblende and Wurtzite ZnO

By employing the first-principles pseudopotential plane-wave method, the physical properties of zincblende ZnO are investigated in comparison with those of the common wurtzite structure. Zincblende ZnO is predicted to be a direct gap semiconductor. Compared to the wurtzite structure, the zincblende ZnO is characterized by smaller bandgap and pressure coefficient, larger electron effective mass, increasing static dielectric constants and more covalent bonding. Furthermore, the optical properties including dielectric function and energy loss function of zincblende ZnO were obtained and analysed with some features. These aspects reveal promising applications of zincblende ZnO in optoelectronic devices.     

无线传感器网络中的最优感知节点分布及分布优化算法

无线传感器网络中，感知节点的合理分布以及网络拓扑的动态调整对于更加有效地进行信息收集以及提高网络的生存期限都具有重要的作用。为此，针对传感器网络的初始规划提出了一种基于遗传算法的最优分布。仿真结果表明，算法能够针对特定的目标区域获得较好的节点分布。在最佳分布的基础上，结合传感器网络的拓扑管理和节点定位，引入了一种有效的传感器网络拓扑和节点分布优化方法，为传感器网络的拓扑性能管理提供了有效的算法保证。     

低温条件下STN-LCD响应时间的优化

本文通过正交试验设计法得出STN-LCD在低温条件下工艺参数对响应速度影响.并从理论上分析了它与响应速度的关系,给出了响应速度最好的工艺参数..     

星载微带相控阵天线电气板结构优化设计

星载微带相控阵天线一般为大型复合材料平面阵结构，天线板初始设计时，热变形很大，不能满足电性能要求。本文通过分析，得出热变形大的原因是电气板中的多层铜箔层的热膨胀引起了天线板的弯曲。为此，文章提出了将电气板细分的优化设计方案，并分析比较了四分板和八分板两种优化设计方案。分析结果表明八分板的刚度和热变形均能满足要求，实际产品也验证了这个热稳定板结构设计方案的优越性。     

基于弹性波散射对二维障碍物边界的识别

给出了二维障碍物弹性波散射场的一种近似积分形式 ,基于 Fourier变换法建立了均匀障碍物特征函数与其远场散射振幅中形状因子的关系式 ,最后就基体为锌 ,对圆形和椭圆形截面铁夹杂进行了计算机模拟 ,结果表明该反演方法对定量无损检测技术具有应用价值。     

一种新型的多普勒调制技术

在传统的斩波器调制技术中,被测对象“被动”地接受外来调制光的照射,由于这种照射一般要经过一定的光学系统来完成,因此,调制照射发生在每一个光束经过的光学元件上,这些元件必定会存在某些加工缺陷,从而产生与调制照射同频率、固定位相差的杂散信号,只要这些信号在探测器的视场里,就会形成背景干扰,从而降低信噪比。利用MichelsonM-orley动态干涉技术,建立了一套基于Doppler频移原理的调制器。与传统的调制技术相比,多普勒调制技术是将被测目标自身运动产生的多普勒频移在干涉仪光路中造成的干涉场的交替变化作为调制频率来实现光的调制,可以有效地消除目标以外一切背景因光调制而产生的噪声影响,极大地改善微弱信号探测的信噪比。实验结果表明:调制信号频率稳定度(相对标准差)可达到±1%左右,能满足锁相放大器参考信号的需要。     

滤波器与接头表面焊接的工艺研究

采用软钎焊接头代替原有的螺纹连接接头用以改善T／R组件中滤波器上内导体与壳体的连接性能。本在工艺实验基础上，通过选择合理的加热热源及钎料形式确定了满足产品质量要求的工艺方案，并就焊料的微量组成对性能的影响进行了分析。     

石墨炉原子吸收光谱法测定银杏中锗

银杏为银杏科植物银杏树的种子,具有清肺止咳,抗结核,治疗小便频,淋浊白带以及抗癌、提高人体免疫力等功能[1],它的药用价值引起了人们的关注.     

InGaAs／GaAs应变层中应力的CBED的研究

本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及GaAs层的厚度分别为100A和200A,x光双晶衍射定出其中合金属中In的含量为6％。会聚束电子衍射在EM-420上进行的。我们发现平面样品中有两种区域,1)衬底与超晶格的界面存在,可以观察在相互垂直的两[110]方向有失配位错。2)GaAs衬底与超晶格界面被Ar~+减薄掉,它可以当作自由超