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981.
本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5%。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。 相似文献
982.
利用指数二分法及不动点定理,研究了一类具有反射变元的中立型泛函微分方程的有界解和概周期解的存在性. 相似文献
983.
984.
985.
中国物理学会和美国物理学会双边会议简讯应中国物理学会的邀请,美国物理学会主席BurtonRichter教授、下届当选主席C.KumarN.Patel教授和国际部主任lrvingA.Lerch博土一行三人于1994年10月10-16日对我国进行了访问,... 相似文献
986.
987.
定常Navier-Stokes方程最小二乘Petrov-Galerkin有限元逼近的L~∞-估计 总被引:1,自引:0,他引:1
描述定常粘性不可压缩流动原始变量表述的N-S方程,为求(u,p)满足 -v△u+(u·?)u+?p=f,在Ω中, div u=0, 在Ω中, (1.1) u=0, 在?Ω上,其中u表示速度,p表示压力,f表示所给外力,v为粘性系数,Ω?R~2为有界区域。引进Sobolev空间X=(H_0~1(Ω))~2,M=L_0~2(Ω),则适合于通常混合有限元逼近的弱形式如 相似文献
988.
989.
990.
正交鉴相技术与单片微机数据处理系统相结合,产生了一种新颖的相位检测方案。本文重点讨论影响正交鉴相电路鉴相精度的各种误差因素,给出了计算公式和计算结果。 相似文献