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针对加速实验中因失效机理发生改变而导致的无效实验问题, 对失效机理一致性和分别在不同应力下器件的初期退化参数分布的关系进行了研究. 研究证明了判断加速实验失效机理一致的条件: 1) 不同应力下失效分布的形状参数服从一致, 即mi=m, i=1,2,3,···, 2) 尺度参数 ηi服从ηi= AFi·η. 从而提供一种在实验初期即可根据参数退化分布快速判别不同应力下失效机理是否一致的方法, 避免了因失效机理发生改变而造成的无效加速实验. 最后对加速实验初期理论退化数据和多芯片组件厚膜电阻初期退化数据进行了威布尔分布参数估计, 并对其在不同应力下的失效机理一致性进行了判别.
关键词:
失效机理一致性
恒定温度应力加速实验
威布尔分布 相似文献
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对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象。通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2 V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近。分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED的量子阱结构,而电流的不均匀分布造成了 p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的均匀性可以有效提高LED的可靠性。最后还对在正向电流-电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析。 相似文献
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GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文对GaAsMESFET正向肖特基结电压Vgsf随温度的变化特性进行了测量与分。析,得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Vgsf随温度的变化有很好的线性关系,并发现其温度系数α=dVgsf/dT与测试电流有关,随着I的增大|α|减少.经过对试验点的拟合发现,kT与I的变化满足指数关系,且Vgsf随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性,即在绝对零度时,不同电流下的Vgsf具有相同的值.据此,我们得到了新的肖特基结电流电压关系式,很好地解释了Vgsf-T曲线与测试电流的关系及其不同测试电流下的聚焦特 相似文献
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将功率循环方法应用于大功率LED焊料层的可靠性研究,对比分析了在650 mA,675 mA和700 mA电流条件下大功率LED焊料层的热阻退化情况。实验结果表明,循环达到一定次数,大功率LED热阻才开始退化,并呈线性增加,从而引起光通量下降;另外,失效循环次数与电流值之间呈线性关系,并外推出正常工作条件下焊料层寿命为90 968次。对样品进行了超声波检测(C-SAM),发现老化后LED焊料层有空洞形成,这说明空洞是引起热阻升高的主要原因。 相似文献
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结温是制约器件性能和可靠性的关键因素, 通常利用热阻计算器件的工作结温. 然而, 器件的热阻并不是固定值, 它随器件的施加功率、温度环境等工作条件的改变而变化. 针对该问题, 本文以CREE公司生产的高速电子迁移率晶体管(HEMT)器件为研究对象, 利用红外热像测温法与Sentaurus TCAD模拟法相结合, 测量研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同加载功率以及管壳温度下热阻的变化规律. 研究发现: 当器件壳温由80 ℃升高至130 ℃时, 其热阻由5.9 ℃/W变化为6.8 ℃/W, 增大15%, 其热阻与结温呈正反馈效应; 当器件的加载功率从2.8 W增加至14 W时, 其热阻从5.3 ℃/W变化为6.5 ℃/W, 增大22%. 对其热阻变化机理的研究发现: 在不同的管壳温度以及不同的加载功率条件下, 由于材料导热系数的变化导致其热阻随温度与加载功率的变化而变化. 相似文献
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The degradation and recovery properties of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors under direct current reverse step voltage stress 下载免费PDF全文
Direct current(DC) reverse step voltage stress is applied on the gate of an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor(HEMT).Experiments show that parameters degenerate under stress.Large-signal parasitic source/drain resistance(RS/RD) and gate-source forward I-V characteristics are recoverable after breakdown of the device under test(DUT).Electrons trapped by both the AlGaN barrier trap and the surface state under stress lead to this phenomenon,and surface state recovery is the major reason for the recovery of device parameters. 相似文献
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研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加. 相似文献
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Evaluation of thermal resistance constitution for packaged AlGaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The evaluation of thermal resistance constitution for packaged AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by structure function method is proposed in this paper.The evaluation is based on the transient heating measurement of the AlGaN/GaN HEMT by pulsed electrical temperature sensitive parameter method.The extracted chip-level and package-level thermal resistances of the packaged multi-finger AlGaN/GaN HEMT with 400-μm SiC substrate are 22.5 K/W and 7.2 K/W respectively,which provides a non-invasive method to evaluate the chip-level thermal resistance of packaged AlGaN/GaN HEMTs.It is also experimentally proved that the extraction of the chiplevel thermal resistance by this proposed method is not influenced by package form of the tested device and temperature boundary condition of measurement stage. 相似文献