广播录音机的进展概况

本文介绍了专用磁带录音机最近的一些进展,如磁头材料及构造、走带机构、主导电机、卷供带电机及它们的控制系统。文章还简要地讨论了盒式录音机和数字录音机在广播中应用的前景。     

高频CO2激光脉冲写入的新型长周期光纤光栅及其在光通信中的应用

报道了一种利用频率为几千赫兹的高频CO2激光脉冲的热冲击效应制作长周期光纤光栅的新技术。实验中，作者首次发现这种新型的长周期光纤光栅具有一些独特的光学特性，比如弯曲特性和横向负载特性等，这主要是因为用高频CO2激光脉冲写成的长周期光纤光栅的横截面折射率分布不对称所致。基于这种新型长周期光纤光栅，设计了一种用于减小掺铒光纤放大器噪声系数的ASE噪声滤波器和平坦掺铒光纤放大器增益谱的增益均衡器，此外，还利用这种新型长周期光纤光栅独特的弯曲和压力特性，研究设计了两种用于动态平坦掺铒光纤放大器增益谱的动态增益均衡器。     

构筑3G网络基础 拓展3G网络应用

一、理解3G移动通信系统及应用的本质无线通信方式是通讯网络的最灵活接入方式，而数据通信产业和无线通信产业的技术融合是最终实现“Any to Any”的通信的关键所在。互联网及数据通信产业的发展加快了无线通信产业的演进，使无线通信产业在技术上能更好的满足对数据业务(主要是IP业务)快速增长的需求。而3G正是在这样的期盼中备受关注，并向我们走来。3G是第三代移动通信系统的通称。     

用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~+离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退火后进行离子注入的样品,其剂量低到 5×10~(11)cm~(-2)的离子注入效应也能被检测到.在1×10~(12)-5 × 10~(13)cm~(-2)低剂量范围内,光声信号明显地随注入剂量而增加.因此,光声谱法是研究离子注入造成的晶格损伤的有效手段,有希望发展成为硅中离子注入剂量的无接触、快速、非破坏性的测量方法.     

浅施主杂质态在n－Hg_（1－x）Cd_xTe磁致金属－绝缘体相变中的作用

在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔系数．观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹＂ＨａｌｌｄｉＰ＂．基于电子在浅施主杂质态上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和＂Ｈａｌｌｄｉｐ＂的起因．     

磁电子学研究概述

简要介绍了磁电子学的基本概念、研究对象和几种重要效应 ,以及基于这些效应的几种新型器件的工作原理 ,提出了磁电子学研究中的几个前瞻性课题 ,对磁电子学的未来发展方向作了评述和展望     

低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布

大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道.     

硅基PZT压电驱动MEMS光开关的设计与优化

采用压电多层悬臂梁理论分析模型 ,研究了一种新型PZT压电复合多层膜悬臂梁驱动光开关的机械性能 ,探讨了结构参数与悬臂梁机械性能的关系及影响光开关机电性能的因素。提出了一种新的硅基PZT压电复合膜悬臂梁驱动光开关的制作方法。给出了 2 5V工作电压下优化的器件结构 ,并对理论分析结果与压电复合多层膜悬臂梁的有限元耦合场分析结果进行了比较     

Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析

为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果.