CH3I分子束激光裂解产物的分布

The photofragmentation of CH_3I at 249 nm has been investigated by means of our crossed laser-molecular beam apparatus with rotatable supersonic beam source. The measured I~*/I yield ratio is about 4/1. The C—I bond dissociation energy obtained is 56±1 kcal mol~(-1). The vibrational energy distribution of CH_3 fragments has been roughly estimated.     

微分求积法计算双材料反平面V形切口应力奇性指数

首次将微分求积法应用到工程断裂力学的研究领域,运用该方法计算了双材料反平面V形切口端部区域的应力奇性指数.首先基于弹性力学理论,将反平面V形切口端部应力奇性指数的计算转化为常微分方程组的特征值问题,再由微分求积法理论将常微分方程组的特征值问题转化为标准型广义代数方程组的特征值问题,由QR法可一次性计算出双材料反平面V形...     

粗糙平面的激光散射特性研究

为了检测目标的边缘信息,采用激光扫描目标表面、通过回波信号变化来得到目标的边缘信息的方法,利用随机面元模型,分析了刚性随机粗糙平面的激光散射特点,建立了实用化的随机粗糙平面激光散射理论模型,并给出了正入射时几种情况下的激光散射图像,分析了平面目标的激光散射能量计算方法,仿真了光束在平面目标表面做正弦摆动时,光斑在不同位置的反射能量,利用激光信号的强度变化,采用峰(谷)检出法或者过零检出法就可以得到物体的边缘信息。结果表明,通过回波信号的变化,可以得到目标的边缘轮廓。     

无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度

用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。     

雪崩晶体管在纳秒脉冲驱动电路中的应用

介绍了一种可用于半导体激光器、高速摄影、信号处理以及激光雷达的纳秒脉冲驱动电路。利用晶体 管的雪崩效应,通过两级雪崩晶体管阵列,得到了7 ns、6 A的大电流窄脉冲。并对触发脉冲的获得、电路板的 印制进行了简要的介绍。     

卫星云图层次增强电路

随着气象卫星的发展,卫星云图传真技术已广泛地应用于国内外气象科学领域中.卫星云图的发送是用无线电照相传真的方法,将卫星中的可见光扫描辐射仪和红外辐射仪向地面发送卫星云图照片,通过传真技术,最后由传真收片机显示成图片.气象卫星通常分为两种类型:一种是极轨卫星,如美国的诺阿系列(NOAA)的气象卫星.这种卫星的运行轨道离地球较近,约800～1400公里,并且始终绕地球两极运行;另一种是和地球运转周期相同、静止在地球约36000公里高空的同步卫星,如日本的GMS同步卫星.     

新型集成压力与温度MEMS传感器

本文提出一种MEMS传感器,单片集成温度和气压的检测单元。该传感器采用SOI硅片的上层硅作为压阻薄膜,因此各管芯的薄膜厚度有良好的一致性。传统的背面体硅腐蚀方法未被采用,因为碱性溶液腐蚀体硅会在<111>面自停止,形成57.4°的斜坡,从而增大管芯面积,取而代之的是ICP深硅刻蚀。片上集成两个PN结,结区面积呈比例,可以实现温度检测功能。测试表明在-40-100℃之间都有良好的线性度,PN结的离子注入工艺与压阻注入工艺完全兼容,减少了工艺成本。     

应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.     

硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6°.     

赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

在赝形渐变InGaAs/In_0.52Al_0.48As异质结的二维电子气中,发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为,通过振荡中的拍频现象,发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV. 关键词：