铜抛光液对片内非均匀性影响的研究

对于低介电常数材料和铜互连结构在低压化学机械抛光中,研发新的抛光液和调整工艺参数是非常必要的。抛光液的研发是减少抛光表面划伤和解决磨料剩余的关键。抛光液组成由片内非均匀性和铜抛光去除速率特性来优化。氧化剂浓度1Vol%;磨料浓度0.8Vol%;螯合剂浓度2Vol%。工作压力1kPa。抛光后表面缺陷减小并且表面干净无污染。去除速率289nm/min,片内非均匀性0.065。化学机械抛光后用原子力测量粗糙度为0.22 nm。     

Effect of alkaline slurry on the electric character of the pattern Cu wafer

For process integration considerations,we will investigate the impact of chemical mechanical polishing (CMP) on the electrical characteristics of the pattern Cu wafer.In this paper,we investigate the impacts of the CMP process with two kinds of slurry,one of which is acid slurry of SVTC and the other is FA/O alkaline slurry purchased from Tianjin Jingling Microelectronic Material Limited.Three aspects were investigated:resistance,capacitance and leakage current.The result shows that after polishing by the slurry of FA/O,the resistance is lower than the SVTC.After polishing by the acid slurry and FA/O alkaline slurry,the difference in capacitance is not very large. The values are 0.1 nF and 0.12 nF,respectively.The leakage current of the film polished by the slurry of FA/O is 0.01 nA,which is lower than the slurry of SVTC.The results show that the slurry of FA/O produced less dishing and oxide loss than the slurry of SVTC.     

ZnMoO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉的制备及发光特性研究

采用高温固相法制备了ZnMoO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉,对样品进行了X射线衍射(XRD)和荧光光谱测定.XRD结果表明,样品在800℃时能得到单一ZnMoO_4相.激发光谱由1个宽带峰和若干个尖峰组成,宽带属于Mo~(6+)-O~(2-)电荷迁移吸收带(CT),并且发现宽带峰位随Tb~(3+)掺杂浓度增加而出现蓝移,尖峰属于Tb~(3+)的4f-4f跃迁,最强激发峰位于377 nm处.发射光谱由四组峰组成,最强发射峰在543 nm处,对应于Tb~(3+)的~5D_4-~7F_5跃迁,属于磁偶极跃迁.研究了ZnMoO_4:Tb~(3+)荧光粉在543 nm的主发射峰强度随Tb~(3+)掺杂浓度的变化情况.结果显示,随Tb~(3+)浓度的增加,发射峰强度先增大;当Tb~(3+)浓度x=0.15时,峰值强度最大;而后随Tb~(3+)浓度增加,峰值强度减小.荧光寿命测试得到Tb~(3+)的~5D_4-~7F_5跃迁发射的荧光寿命值为0.506 ms.光谱特性研究表明,ZnMoO_4:Tb~(3+)是一种可能应用在白光LED上的绿基色发光材料.     

Effect of copper slurry on polishing characteristics

The composition of the polishing solution is optimized by investigating the impact of the WIWNU (the so-called within-wafer-non-uniformity WIWNU) and the removal rate(RR) on the polishing characteristics of copper.The oxidizer concentration is 1 Vol%;the abrasive concentration is 0.8 Vol%;the chelating agent of the solution is 2 Vol%.The working pressure is 1 kPa.The defect on the surface is degraded and the surface is clean after polishing.The removal rate is 289 nm/min and the WIWNU is 0.065.The surface roughness measured by AFM after CMP(chemical mechanical planarization) is 0.22 nm.     

有机光电材料载流子迁移率测量方法

有机光电材料大致可分为小分子或低聚物和聚合物两类.载流子迁移率是衡量有机光电材料导电性能的重要参数,直接关系到材料对电荷的传输能力.因此,测量材料的载流子迁移率是研究有机光电材料的基本工作之一.通过对几种不同测试方法的总结与分析,报道了几种载流子迁移率测试技术,并指出各种测试方法的应用原理及适用的测试范围,对采用合理的...     

差分渐变槽天线及阵列的研究与设计

近年来广泛用于雷达设计的相控阵天线,正朝着宽带、高噪声抑制等高性能方向发展。为满足这一发展需求,该文对基片集成波导(SIW)差分传输特性进行了研究,基于差分SIW功分器设计了一款高共模抑制差分1×4天线阵列,该阵列具有良好的宽带匹配和端射特性,实现了低交叉极化和低旁瓣电平,能够有效降低外部噪声干扰,提高通信质量。基于此设计理论对差分渐变槽天线阵进行了实际加工与测试,证明测试与仿真结果吻合良好。     

SnSe的制备方法、热电性能及潜在应用

硒化锡(SnSe)具有极低热导率、高功率因子和高热电优值,是一种性能优异的热电材料。SnSe的热电性能与其结构和掺杂状态密切相关。从SnSe的基本特性出发,介绍了SnSe的典型制备方法,综述了SnSe的热电性能及光(热)电性能,讨论了SnSe在光伏、锂离子电池、柔性热电器件及相变存储器等领域的潜在应用,总结了目前SnSe研究中存在的问题,并对提高其低温热电性能的方法进行了展望。     

扰动分离自抗扰控制在光电稳定平台上的应用

针对当前光电稳定平台伺服系统中扰动抑制能力不足的问题,提出一种扰动分离自抗扰控制（DSADRC）算法。扰动分离自抗扰控制充分利用工程实际中可获取到的部分已知的光电稳定平台模型信息及经典控制中的控制器信息,并将其加入到自抗扰控制的设计中。该算法通过减少光电稳定平台系统中的总扰动量,增加系统的扰动观测精度及扰动抑制能力。同时,通过算法设计实现了经典控制器的复用,减少了设计工作量。仿真实验结果表明:在控制器相同、扰动条件相同的情况下,扰动分离自抗扰控制阶跃响应调节时间减少58.8%,上升时间减少26.5%,且无超调量;在1V2Hz等效扰动下,系统稳态精度提高51.5%,系统性能提升效果明显。在实物验证实验中,对于不同频率的等效扰动,相比PID控制,扰动分离自抗扰控制稳态精度提升50%以上,有效地提高了光电稳定平台的稳态精度。     

APDC共沉淀分离富集—火焰原子吸收分光光度法测定明矾中的痕量铅

本文研究了ＡＰＤＣ－Ｃｕ（Ⅱ）共沉淀分离富集，开槽管原子捕集火焰原子吸收光谱测定铅的条件，发现痕量铅在ｐＨ值为２－８条件下能被ＡＰＤＣ－Ｃｕ（Ⅱ）定量共沉淀，方法的检出限可达１．５×１０＾－２μｇ／ｍＬ。用于明矾中痕量铅的分离富集和测定，共存物质不产生干扰，样品６次平行测定的相对标准偏差〈４％。加标回收率在９８％－１０３％之间。     

功能光学纳米Ag薄膜的制备及其光学特性研究

对以热蒸发法制备的超薄Ag薄膜,扫描电子显微镜结果显示其呈纳米尺度的颗粒状,由透射谱测量发现其具有表面等离子体激元特征.检测到不同条件制备纳米Ag薄膜的表面等离子体共振吸收峰的位移规律,且纳米Ag材料具有选择性的透过、反射特性.通过不同的制备条件,得到了在长波范围内透过率超过90％、在表面等离子体共振峰值位置处反射率接近50％且峰位可调的光学薄膜材料.这种薄膜材料有望成为应用在薄膜太阳电池中间层中具有潜在性光管理功能的光学薄膜材料. 关键词： 热蒸发 纳米Ag薄膜 表面等离子体激元 光管理