索尼扁平显像管

在小形扁平显像管的商品开发中,为了节省电,特对行偏转系统进行了专门研究,根据在真空管内安置导磁率好的铁氧体试验,成功地降低了行偏转功耗。由于电子枪到画面上下距离不同,引起了焦点模糊,通过帧静电偏转板与电子枪进行内镶接,并把帧偏转波形也加在电子枪上,在画面帧方向采取动态聚焦,这样可使图像变得清晰、均匀。     

定常的磁流体力学方程的边值問題

<正> 关于磁流体力学方程的数学研究至今还很少見.在[1]中利用研究納維-司托克斯方程的方法对不定常的磁流体力学方程作了詳細的研究.本文試图用同样的想法来研究定常的問題.     

一种基于颜色属性的通用目标检测方法北大核心CSCD

通用目标检测是视频分析技术中目标定位、检测和跟踪的关键技术.针对数字图像分析中的通用目标检测问题,提出了一种基于颜色属性的通用目标检测算法,用以提取图像中有可能包含目标的子区域并以外接矩形的形式输出.该算法首先利用输入图像的颜色属性对其进行区域分割并计算划分后的区域相似度,接着根据相邻区域间的相似度进行区域合并,最后结合选择性搜索策略,实现了通用目标的检测.实验表明此算法检测出的候选框的精度可以满足通用目标检测的要求.     

InSAR设备在地形测绘中的测绘参数综述

干涉合成孔径雷达(InSAR)测量技术通过对同一地区的两景影像进行干涉分析获取高精度的地形信息。由于In-SAR具备高精度定量分析定位能力,国内外已经发展了诸多星载和机载InSAR 设备用于地形测绘,其中最著名的包括SRTM系统以及TanDEM-X任务。文中以SRTM和TanDEM-X为例,介绍了InSAR在地形测绘中的主要参数以及应用情况,为国产InSAR卫星的指标设计提供了一定的参考。     

浅析测控系统电路的抗干扰

电路干扰问题是一个非常复杂的问题,必须根据现场的实际情况,找准干扰源,"对症下药",予以诊治,本文以一个实际测控系统设计过程为例,对硬件、软件、空间等方面的抗干扰设计过程,都做了比较详尽的叙述,提出相应的硬件、软件解决措施,供大家参考.     

瓷绝缘子电场法检测原理及环境对测试的影响

根据大量实测数据,总结出的绝缘子串在运行情况下的电压分布规律,可以得出结论——电场法可以带电检测瓷绝缘子的内缺陷.理论上,通过电场法可以快速判断出绝缘子内芯棒是否出现缺陷,为输电线路的安全运行提供有力的技术保障;但在测试过程中,由于技术和环境等原因,测得的电场较实际电场会有偏差,本文着重研究测试环境对检测结果的影响.     

硼桥联三氮杂环卡宾配位的铁分子氮配合物:合成、表征和反应性质研究

研究了氮上取代基为1-金刚烷基的苯基硼桥联三氮杂环卡宾配体在铁促进的氮气活化转化反应中的应用.通过苯基硼桥联三氮杂环卡宾亚铁氯化物[PhB（AdIm）₃FeCl]（1）在氮气氛下与KC₈反应合成了一价铁分子氮配合物[PhB（AdIm）₃Fe（N₂）]（2）.进一步通过2与KC₈和18-C-6的反应合成了零价铁分子氮配合物[K（18-C-6）（THF）]-[PhB（AdIm）₃Fe（N₂）]（4）.这些配合物均通过核磁共振、紫外吸收光谱、红外光谱、元素分析等表征,其中配合物2和4的结构经单晶X射线衍射表征确定.配合物2和4的N-N伸缩振动频率分别为1928和1807 cm^－1,均为同价态铁末端分子氮配合物最低值.在过量KC₈和Me₃SiCl存在下,配合物1,2和4均可催化N₂的还原硅基化反应,生成N（SiMe₃）₃.催化体系的TON可达87.     

光学谐振腔的分数傅里叶变换表示

用矩阵方法研究了多元件光腔,特别是含透镜腔和望远镜腔的分数傅里叶变换特性,然后从广义惠更斯 菲涅耳衍射积分公式出发,推出了光腔的分数傅里叶变换的二维衍射积分表达式和分数傅里叶变换的矩阵表示式,并作了讨论.     

40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善

随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度,减小接触孔深宽比,从而改善孔内聚合物在孔底部沉积的问题;通过优化刻蚀工艺参数提高SiN/SiO_2刻蚀选择比,保持刻蚀后SiO_2的厚度与改进前工艺相同。测试结果表明,工艺改进后接触孔底部关键尺寸稳定性提升36%,接触电阻稳定性提升20%。通过工艺改进提高了电参数稳定性,对40 nm工艺节点逻辑器件产品良率提升起到了关键作用。