框架结构控制系统修正模型可靠性研究

针对目前采用Montecarlo法或按泊松分布来计算振动主动控制系统可靠性计算量较大的缺点,本文提出了修正模型可靠性概念,并定义一个可靠性评价指标,以期通过修正模型的可靠性来问接反映控制系统的可靠性。本文以框架结构为研究对象,在修正方法上选择了计算量小且修正精度较高的拉直算法,为验证提出的可靠性指标的可行性,对四组设计参数分别进行了修正模型和地震作用下的广义预测控制可靠性分析,从结果对比可知,本文所定义的可靠性指标具有一定的可行性,并且本文方法计算量较小。     

新颖的含PFC的PWM ZVX AC—DC变换器

提出了一种新的具有功率因数补偿（ＰＦＣ）功能的零电压开关（ＺＶＳ）ＡＣ－ＤＣ变换器基于不连续导电模式（ＤＣＭ）下的Ｂｏｏｓｔ环节实现ＰＦＣ功能,但其具有ＺＶＳ机制从而解决了ＤＣＭ下因开关关断大的峰值电流引起的关断同、ＥＭＩ严重的问题,同时还消除了由于开关的寄生电容引起的开通损耗,该变换器可以采用通用控制芯片并工作在ＰＷＭ模式,文中分析了提出变换器的工作原理,并给出了基本设计原则,模拟和实验结果证明     

电子交换机 第四讲 设计原理

在这一讲中我们主要地谈谈电子交换机的设计原理和总体布置。由于目前已经制成的电子交换机在原理和结构方面差别都相当大,即使在一种制式中部件也很多,我们不可能一个一个地来讨论,现在只把技术问题最复杂的时间划分多路制中的标识器提出来加以分析研究。关于扩充话局容量问题也在这一讲中加以讨论。Ⅰ标识器的设计原理: 在上一讲的控制电路中,我们曾经提到:在时间划分制中采用标识器作为局内控制主唤与被唤通话连接的主要设备,并且已经简单地叙述了它的动作。由这些简单的叙述中可以知道.标识器好像一般机械电磁式步进制中选组机和接线机一样,担负大部份接     

改进的资源限制流抽样算法

该文分析了hardflow算法抽样率与大流抽样损失率的关系,提出两个改进算法以降低大流抽样损失率与抽样率的比值rd,并讨论了缓冲区大小、测量周期对相对误差的影响以及参数的选取。结果表明:与hardflow相比,在低抽样率(4.5%),两种改进算法的rd比hardflow分别降低1.4和6.6,当抽样率提高至一定水平时(11.3%),则3种算法的rd均趋于0。     

n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.     

引上法单晶棒生长的直径自动控制

本文提出了硅单晶棒生长直径自动控制的一种新方法。关于等径控制已经有了几种光学方法,例如对晶体和金属材料的固液界面使用了高温辐射计或工业电视的方法。本文提出的方法,在不用任何光学设备的条件下,分别测定生长中的晶体棒的重量W,长度L,同时控制△W/△L恒定不变。因为这个比值与单晶棒的截面积成正比,所以也就能达到单晶棒的等径生长。本方法中还应用了一种新的控温系统。由一个热转换器感受加热器的功率,并使其自动恒定。如果电源功率波动,则热转换器     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

一种新型VLSI电路外部电光探测器

采用极化聚合物电光材料,设计制作出一种结构新颖的亚微米VLSI电路正面入射式外部电光探测器.通过在探测器中引入参考电极,实现了电压的标定测量;利用1 μm线宽指状电极的电场分布,验证了触立式极化聚合物电光探测器对电场具有较高的空间分辨率.实验证明,该新型外部电光探测器的空间分辨率可达0.5 μm,完全满足亚微米电路无损...     

二极管原理非制冷红外焦平面阵列的集成设计

面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展.焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点.基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺实现大规模阵列集成方面有很大的优势.读出电路是基于标准CMOS工艺进行设计的.320×2...     

0.1微米电子束曝光机成像系统的计算

系统介绍了０．１微米电子束曝光机系统的计算工作,并对每步都给出了程序实现的流程图,最终构成了总的程序计算框图。该程序具有一定的通用性,能对任何３级成像系统进行计算,最后对计算结果进行了定性的分析。