ICP－AES中基体元素对硫的光谱干扰（Ⅱ）

ＩＣＰ－ＡＥＳ中基体元素对硫的光谱干扰（Ⅱ）卢汉兵张保军，魏路线（武汉华中师范大学分析测试中心，武汉，４３００７０）（武汉工学院微观分析中心）关键词电感耦合等离子体发射光谱，光谱干扰，硫ＩＣＰ－ＡＥＳ中，由于对２００ｎｍ以下的光谱干扰研究工作报道极少...     

TD—SCDMA直放站同步方式分析

文章首先介绍7TD—SCDMA制式信号物理层的帧结构的特点，进而分析了目前TD—SCDMA直放站可以采用的四种同步方式的原理和优缺点。     

用蚁群算法寻找分组密码差分特征的算法模型

在这篇文章中,首先将寻找分组密码差分特征问题转化为一种在有权重的有向图上找最短路的问题,然后在此基础上提出了一种运用蚁群算法寻找分组密码差分特征的算法模型。     

Fermat型二阶混合偏微分方程的整函数解

通过亚纯函数值分布理论以及Xu-Cao[4]和Xu-Meng-Liu[5]的讨论方法,主要得到了Fermat型二阶混合偏微分方程■的整函数解的具体形式.此外,通过一些例子来验证主要的结论。     

势垒对称性对锆钛酸铅(PZT)薄膜铁电及光伏性能的影响

文章主要研究对称(ITO/PZT/ITO)与非对称(Pt/PZT/ITO)势垒结构对锆钛酸铅(PZT)薄膜铁电及光伏性能的影响.实验发现,势垒对称性差异直接影响材料电滞回线,ITO/PZT/ITO结构的剩余极化强度(Pr)更大,对称性更好,饱和度更高.测试光照与暗态时两种结构Pr的变化,结果显示两种结构的Pr均增大,分析光照时Pr增大的原因,发现两种结构的漏电流在光照时均明显变大,但两种结构的净极化强度(△P)在光照时表现出差异,即对于ITO/PZT/ITO结构光照时△P基本不变,而Pt/PZT/ITO结构光照△P变小.因此得出光照时△P的变化受势垒对称性的影响,但光照时Pr的增大主要源于漏电流的增加而非△P.此外还对两种结构的光伏性能进行了研究,发现势垒的对称性同样影响材料的光伏特性,Pt/PZT/ITO结构的开路电压和短路电流密度明显高于ITO/PZT/ITO结构.     

一种具有低RC时间常数的新型电吸收调制器的研制

我们研制了一种带有插入电荷层和倒台型脊波导结构的新型集总型电吸收调制器（DU-EAM)。同时,为了验证这种新型器件具有低的RC时间数,我们也制备了另外两种具有直脊波导的集总型电吸收调制器作为实验参照组,其中一个含有电荷层,另一个不含电荷层。三种器件的测试结果表明,被插入一层电荷层的两种器件（D-EAM和DU-EAM）的电容明显小于普通的电吸收调制器。-3v偏压下,三种器件—N-EAM, D-EAM, DU-EAM 的电容分别为0.375PF, 0.225PF and 0.325PF,最佳偏置电压-3v下对应的最高调制带宽可以达到28.3GHz。DU-EAM因为具有较宽的有源区宽度,其-3V下的调制消光比高达25dB,-1v至-2v间调制效率高达13dB/v。     

新型低噪声模式的硅二极管

据报导,贝尔实验室制成一种称为“BARITT”的势垒注入渡越时间二极管。它是由夹在硅化铂肖特基势垒接触间的10微米厚的 n 型硅片制成的。其噪声系数比硅雪崩二极管约低20分贝,也低于 GaAs 电子转移振荡器(见表),且制作简便。微波连续功率在4.9千兆赫下已获57毫瓦,其效率达2.3%。在1兆赫载波下调频噪声为22.8分贝。Baritt 二极管的另一特点是,它的偏压为5～80伏,并与频率无关。其次,由于是对称结构,它可在任一极性下工作。据称,用硅的最佳材料和工艺制成的器件,其可靠性     

MEMS光交换器新锐登场

在光子通信网中应用的光交换器,在性能上要求低损失和低串扰;此外,还要求大规模化或者大规模阵列化。作为满足这些要求的解答,这几年来,应用MEMS技术的光交换器成为受到注目的焦点。     

集电极截断的晶体管

在制作双极逻辑集成电路中,集电区的掺杂度需要折衷。高掺杂时在发射极下做一低阻通道,低掺杂时在整个基极一集电极结上做一特定电容。实际的折衷掺杂度通常为10~(16)原子/厘米~3。英国马拉德实验室采用了比其他低,比紧挨发射极下的基极高的掺杂度。实验室制成的晶体管掺杂度为10~(16)原子/厘米~3,刚好低于发射极,而集电极体渗杂度降到10~(15)原子/厘米~3。这将集电极-基极电容降低约一半,也降低了集电极与隔离槽接触的电容。