高温显微热台

前言激光和红外材料,一般生长温度在800～2000℃。为了适应高温晶体材料热分析工作的开展,特别是1500℃以上温度范围材料的研制需要,我们参考国外文献[1～15]关于显薇热台的设计,装置了高温显微热台,应用国产钨铼热偶,温度达到2000℃。高温显微热台中,样品被置于热偶支架上同时加热和测温。升温过程可在光学显微镜下观察;降温过程可迅速记录熔融物质的冷却曲线,测量物质的熔点。由于热偶的热     

富碲碲镉汞区域相图及有关薄膜生长参数——富碲碲镉汞相图研究之二

一、前言资料[1]介绍了富碲碲镉汞液相温度的测量方法。本文在此基础上为液相外延膜生长工艺的研究提供了富碲(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y区域相图。为获得消除富碲存在时的过冷效应,本文采用动力学方法进行计算。所以本工作相图数据是在大量的热分析试验的基础上取得的。所得到的液相温度曲线复盖了(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y组份中x=0.05～0.10;y=0.72～0.85区域,为液相外延膜正在进行的研究提供了根据。本文为确保数据的可靠性,对相图中的三     

富碲组份对碲镉汞器件性能的影响

本文研究了光谱响应范围在3～5μm的蹄镉汞光导探测器材料中镉碲组份及晶体结构对器件性能的影响。认为材料中蹄镉组份的同时测定对于晶体材料品质的评价是很重要的。实验证明,在一定x值的条件下,蹄组份值一般偏向富蹄范围。当富蹄组份含量不超过或低于50.0～51.0 ％(原子)范围,蹄的含量越接近于化学计量比50.0％ (原子)时,晶体结构越趋完整。相应于晶体的电学性能也较好。反之亦然。本研究可提供筛选晶片时的依据。