用于制作长波长光电探测器的Ga_xIn_(1-x)As/GaAs异质结多元汽相外延

采用Ga-In(InAs)-AsCl_3-H_2系统,在衬底材料GaAs单晶片上,生长出了适合于制作长波长光电探测器的、晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)As外延层,并成功地制造出了GT301型p-i-n光电探测器。该探测器已正式通过定型鉴定。光敏面为φ100μm的探测器,反向击穿电压典型值在50伏以上;在-5V的偏置下,暗电流小于10nA,最小低于3nA;采用同轴二型管座带光纤耦合封装,二极管电容一般在1.2pf以下。在1.28μm波长下,光电灵敏度典型值在0.5μA/μW以上,最高达0.76μA/μW;响应时间为:上升时间t_r≤60ps,下降t_f>100ps。     

1550nm单频脉冲光纤激光放大器实验研究

为了满足相干探测技术对激光光源的需求,采用主振功率放大技术,对全光纤、高重复频率、1550nm单频脉冲光纤激光器进行了研究.得到了脉冲宽度400ns、重复频率10kHz、单脉冲能量14μJ、平均功率148mW的单模光纤激光脉冲输出.实验中还发现了光纤中过高的功率密度所引起的受激布里渊散射(SBS)将导致激光脉冲波形的变...     

中红外高能量输出复合腔抽运光参量振荡器

报道了采用复合腔技术研究Nd:YAG激光抽运LiNbO₃晶体光参量振荡器(OPO)的实验研究结果。得到OPO输出单脉冲平均能量56.4mJ,闲频光(3097nm)脉冲平均能量22.8mJ,脉宽8ns,抽运光转换成参量光输出效率46%(重频1Hz～10Hz)。测得角度调谐的波长范围是:信频光1479nm～1621nm,闲频光3097nm～3793nm。