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本文对安徽电视台全台网在方案设计、工程实施以及日常运行维护过程中,逐步建立的安全体系,包括安全策略、安全技术、安全管理以及安全运维等若干关键技术的应用进行简单介绍。 相似文献
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923.
2,4,6-三甲基苯甲酸(TMBA)与(n-Bu)2SnO反应,合成氧桥联的四核二丁基锡(2,4,6-三甲基)苯甲酸酯配合物{[(n-Bu)2Sn(2,4,6-TMBA)]2O}2,经元素分析、1H NMR、13C NMR、IR和X-射线衍射表征分子结构,该配合物晶体属三斜晶系,空间群P1,晶体学参数:a=1.272 56(2)nm,b=1.322 73(2)nm,c=1.437 25(3)nm,α=111.197 0(10)°,β=99.691 0(10)°,γ=111.790 0(10)°,Z=1,V=1.962 35(6)nm3,Dc=1.368 g.cm-3,μ(Mo Kα)=1.308 mm-1,F(000)=828,R=0.040 9,wR=0.109 1。配合物以Sn2O2平面四元环中心对称,每个桥联氧原子还连接一个环外锡,形成双氧桥联四核二丁基锡结构。环上与环外Sn原子均呈现五配位畸变三角双锥构型。利用量子化学G03W软件,在Lanl2dz基组对配合物的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居及前沿分子轨道组成进行了研究。并通过热重分析对配合物进行了热稳定性研究。 相似文献
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氧化双[三(2-甲基-2-苯基)丙基锡]、三苄基氯化锡分别与呋喃-2-甲酸反应,合成了配位聚合物{[(C4H3O)CO2]Sn(CH2CPhMe2)3}n(1)和{[(C4H3O)CO2]Sn(CH2Ph)3}n(2)。经IR、1H NMR、元素分析和X射线衍射表征结构。1和2均属单斜晶系,配合物1空间群P21/n,晶体学参数:a=1.122 06(7)nm,b=1.747 60(11)nm,c=1.632 62(10)nm,β=91.503(3)°,Z=4,V=3.200 3(3)nm3,Dc=1.306 g.cm-3,μ(Mo Kα)=0.829 mm-1,F(000)=1 304,R1=0.023 9,wR2=0.059 4。配合物2空间群C2/c,晶体学参数:a=2.939 49(13)nm,b=1.035 36(4)nm,c=1.976 64(9)nm,β=129.582(2)°,Z=8,V=4.636 4(3)nm3,Dc=1.442 g.cm-3,μ(Mo Kα)=1.125 mm-1,F(000)=2 032,R1=0.024 2,wR2=0.060 6。配合物1和2的中心锡原子分别为四面体和三角双锥构型。通过分子间氢键作用,1和2分别形成三维结构。对配合物进行了量子化学从头计算,探讨了配合物的稳定性、分子轨道能量及一些前沿分子轨道的组成特征。 相似文献
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首先研究了自共轭算子束L—λV的谱曲线,其中L和V是Hilbert空间H内的自共轭算子.其次研究了谱问题Ly=λVy的特征值.最后,将所得的结论应用到正则和奇异的常微分算子的不定谱问题中. 相似文献
927.
精品课程建设是高校教育改革的一个重要组成部分.结合研究生“数值分析”精品课程建设实践,从指导思想、教学内容、教学方法和手段、实验和实践教学以及考核方式等方面进行了探讨. 相似文献
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新型的AlGaN/PZT材料紫外/红外双波段探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种可以同时同位置探测紫外和红外信号的新型探测结构,分析了该结构的合理性,并对器件工艺进行了设计、分析和验证,制备出了AlGaN/PZT原型器件.该结构以AlGaN多层材料和PZT复合薄膜为基础,利用AlGaN宽禁带半导体的本征吸收和铁电薄膜的热电转化功能,实现对紫外和红外信号的电学响应.对该结构中各膜层的透射和吸收进行了测试和分析,在小于6 μm的光谱测试范围内,宝石衬底的透过率约为80%,而AlGaN多层外延结构和多孔SiO2隔离层都对红外光吸收很少.结果证明:该结构可以实现不同吸收层对入射光束不同波段的吸收.以AlGaN器件工艺和溶胶-凝胶法制备PZT膜层为基础,研究了器件工艺,并最终研制出了首个AlGaN/PZT探测器件. 相似文献
929.
扬州兰都塑料科技有限公司 《现代传输》2010,(1):23-23
在科技与市场经济并轨的时代,为了谋求企业的更大发展,扬州兰都塑料科技有限公司(原江都市专用塑料材料厂)与国内科研院所合作并引进国外先进的技术,相继开发了聚烯烃低烟无卤阻燃系列电缆料、耐高温等经系列辐照料和热缩制品系列粒料、辐照交联耐油弹性体系列粒料等。其中低烟无卤系列粒料与耐油弹性体系列粒料均引进国外先进的配方及技术,已在市场获得良好的应用,颇受同行业瞩目。 相似文献
930.
Design,fabrication and characterization of a novel two-color detector for ultraviolet and infrared applications are reported.The detector has a simple multilayer structure composed of n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/i-GaN/p-GaN /SiO_2/LaNiO_3/PZT/Pt fabricated on a sapphire substrate.Ultraviolet and infrared properties are measured.For the ultraviolet region,a flat band spectral response is achieved in the 302-363 nm band.The detector displays an unbiased responsivity of 0.064 AAV at 355 nm.The current-voltage curve... 相似文献