一种能有效支持QoS的光突发装配技术

提出了一种新的光突发装配技术，目的在于增强光突发交换(OBS)网络的服务质量(QoS)能力。该技术由自适应门限突发装配算法和基于优先级的随机化的偏移时间设置方案构成。该装配算法特别适合于多类别分组混合装配，能让所有类别的分组公平有效地使用装配能力，能较好地与IP层的QoS机制相匹配。偏移设置方案将突发控制分组(BCP)与突发数据(BP)间的偏移时间分成QoS偏移和随机偏移，前者由改进的JET协议按照有选择性的突发段丢弃机制(BSSD)确定，后者则由令牌桶机制确定。BSSD仅丢弃包含有低类别分组的突发段，而非整个突发。计算机仿真结果表明，本文提出的突发装配技术在性能上具有优越性。     

模糊控制在企业供热系统中的应用

本文介绍了模糊（Ｆｕｚｚｙ）控制技术在工业锅炉运行工艺技术控制系统的功能，特点，叙述了对锅炉燃烧，汽包水位等控制方案，并举例说明了该系统投入运行后的实际应用效果。     

用焦散线—内插法确定光学各向异性材料的应力强度因子

本文采用内插法,将光学各向异性材料——双折射材料的焦散线问题转化成为“光学各向同性”材料的问题,进而用改进的 J.F.Kalthoff 方法来确定双折射材料应力强度因子 K_Ⅰ和 K_Ⅱ.文中以聚碳酸脂、环氧树脂为例进行了具体讨论,将得到的结果及文[7]中的结果一起与相应的理论计算值进行了比较.     

李国平教授科学工作五十年

我们敬爱的老师李国平教授自1933年起在大学任教,致力于科学与教育事业,至今已整整五十周年了。 李老师1910年生于广东丰顺县,青少年时代即已萌发献身科学的炽烈热情,他1933年毕业于中山大学数学天文学系,同年任广西大学数学系讲师,1934-1936年期间,他东渡日本为东京帝国大学数学科研究生,系统地开始     

关于单叶函数的两个定理

设f(x)=z+∑a_vx~v在圆|z|<1内单叶、正则,记这种函数的全体为S。对于S中的f(z),健根斯证得此处0相似文献   

3 GPa熔融盐固体介质高温高压三轴压力容器的温度标定

 由于新研制的3 GPa熔融盐固体介质高温高压三轴实验系统改进了高压容器的装样方式以及样品的尺寸,需要对新装置的压力容器进行温度标定,为此采用多个NiCr-NiSi热电偶,在围压为0.5 GPa时对样品内部和周围的温度分布进行了研究。实验结果表明,样品外侧相对于样品中心上1/3位置热电偶监测到的温度与其它位置监测到的温度之间具有良好的线性关系,它们之间的斜率大小可以直接反映出温度的高低。样品外侧相对于样品中心上1/3位置与下1/3位置监测温度基本相同,也可以作为实验控制温度;样品中心温度比样品外侧相对于样品中心上1/3位置和下1/3位置监测温度低4%;样品底部温度比样品中心温度低5%;样品内部相对于样品中心下1/4位置温度比样品中心低2%。样品的温度从中间向两端对称式递减,在样品尺寸范围内,样品的垂直温度梯度恒定（900 ℃为16 ℃/mm）。本设备样品温度分布和温度控制精度与国际同类型实验设备相类似,达到了国际同类设备的水平。     

新疆委陵菜属植物花粉形态研究

新疆委陵菜属植物的花粉粒在光镜和低倍扫描电镜下几乎没有区别，均为辐射为称花粉，长球形或卵球花，三孔沟，表面条状纹饰。在高倍扫描电镜下、花粉在孔沟形状，条脊的类型、宽度、脊间特片及密集程度存在着一定差异。     

6H—SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是