反特征值问题的最佳逼近的一点注记

对于[1]与[2]中提出的关于矩阵的最佳逼近问题,本文用一个简洁的方法,证明其主要结果. 1.问题及条件的转化 设X∈R~(n×k),A∈R~(n×n),λ_1,…λ_k为A的部分特征值,A=daig(λ_1…λ_k)以及     

两不同部件并联可修复系统指数稳定性分析

研究两不同部件并联可修复系统,运用泛函分析的方法,特别是Banach空间上的线性算子半群理论,证明了严格占优本征值的存在性,并通过分析系统本质谱界经过扰动后的变化,进一步表明在一定的条件下,系统的动态解以指数形式收敛于系统的稳态解.     

Multistage Random Growing Small-World Networks with Power-Law Degree Distribution

We present a simple rule which could generate scale-free networks with very large clustering coefficient and very small average distance. These networks, called the multistage random growing networks （MRGNs）, are constructed by a two-stage adding process for each new node. The analytic results of the power-law exponent = 3 and the clustering coefficient C = 0.81 are obtained, which agree with the simulation results approximately. In addition, we find that the average distance of the networks increases logarithmically with the network size, which is consistent with the theoretical predictions. Since many real-world networks are both scale-free and small-world, the MRGNs may perform well in mimicking reality.     

毫米波高效率三路功率合成放大器

基于波导双边耦合电桥与波导-鳍线-微带过渡,提出了一种非2ⁿ路功率合成方法,并按照该方式在毫米波频段设计出了一种高效率的3 路功率合成电路。实测结果表明,25 ~31GHz 频率范围内的无源合成效率高于89%。采用该电路将3 只TGA4505 放大单片合成后构成的功率合成放大器,在25 ~31GHz 频率范围内得到了最大12W 的饱和功率输出,饱和附加效率最高可达20%。     

基于数模混合的混沌映射实现

混沌随机序列发生器在数字实现时面临有限字长效应, 无法严格保证伪随机序列的非周期性. 构建了一类包含最少模拟器件的新数模混合系统, 分析比较了此类系统的非线性动力学行为. 利用现场可编程逻辑门阵列和RC电路实现了混沌映射, 构造了稳定的高速随机序列发生器, 可产生100 Gbit/s以上速率的随机数. 研究表明, 数模混合系统的混沌性对元件参数变化不敏感, 数模实现验证了新系统的存在性和物理上的可实现性. 系统易于集成在数字加密、保密通信和雷达波形产生等应用系统中.     

同步辐射小角X射线反射和慢正电子湮没表征low-k SiOx薄膜

利用射频磁控溅射方法制备了低介电常数材料多孔非晶SiO_x薄膜,溅射压强从1Pa—3Pa变化,傅立叶变换红外吸收光谱测行x的范围为1≤x≤1.6.同步辐射X射线反射(XRR)测量结果显示了随着溅射压强的增大,薄膜的孔隙率(体积比)从6%上升到24%,同时估计了薄膜的厚度.慢正电子湮没多普勒展宽测量探测了薄膜中的缺陷分布信息,结果显示随着溅射压强的增加,薄膜中的E'中心缺陷增加,其抑制了电子偶素的生成,从而使S参数呈下降趋势,利用VEPFIT程序对正电子湮没结果进行了拟合,得到的膜厚与XRR结果较为接近.     

迈克尔逊干涉仪干涉条纹不稳定原因及改进措施

现有迈克尔逊干涉仪产生的干涉条纹容易抖动,使实验结果产生较大误差,甚至影响实验正常进行。探寻干涉条纹抖动主要原因,改进仪器结构和增加减振装置,提高原有仪器的抗振动干扰性能,使干涉条纹稳定性提高。     

Y1-xRxBa2Cu3O7—δ体系（R=Eu、Gd）的正电子寿命和超导性研究

本文报道了对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ（R=Eu、Gd）两个系列样品的超导电性研究结果．首先，发现随着Eu、Gd掺杂量x的增加，Y1-x]EuxBa2Cu3O7-δ和Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ的晶胞体积均随之增大．但所有样品均保持与Y-123样品相同的单相正交结构；正电子平均寿命实验结果表明Cu—O链处局域电子密度ne随Eu、Gd掺杂浓度x的增加而减小．说明Eu、Gd对Y位的替代引起晶胞结构参量的变化不汉改变了Y位的电子密度．同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布；超导转变温度Tc随Eu、Gd掺杂浓度x增加而略有增加，反映了Eu、Gd掺杂虽然改变了体系的局域电子结构．但没有破坏超导所需的Cu-O链与CuO2面之间的耦合：Y位掺杂体系的超导电性与掺杂离子的磁性无关，而与掺杂离子的半径有关．     

氧化钒薄膜微观结构的研究

采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V₂O₅薄膜.x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)的结果表明，氧分压影响薄膜的成分和生长取向，在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V₂O₅薄膜，即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.V₂O₅薄膜经过真空退火得到(001)取向的VO₂薄膜，晶体颗 关键词： 微观结构 氧化钒薄膜 择优取向 直流磁控溅射     

非线性动态迟滞压电陶瓷的实时控制

在压电陶瓷动态迟滞非线性模型的基础上,以dSPACE系统为控制平台,提出基于反馈误差学习方法的具有多值对应的迟滞非线性特性压电陶瓷的神经网络自适应实时控制.采用执行速度快的C-MEX S 函数进行编程.与PID控制进行比较,实验证明所提出的控制方法具有较高的精度.