以光阱探测器测量激光功率

美国国家标准技术院以万花筒原理为模型,开发了一种仪器,作为激光功率测量的新标准具。该仪器叫光阱探测器,它是个三棱管,两端各有一个并不昂贵的光电二极管,相当于万花筒中的两面镜子。如同镜子捕捉光、来回反射光而产生图像,光电二极管要么吸收激光,要么将激光反射到另一二极管使之被吸收。每次吸收中光子转化为电能,从而实现激光功率测量。 该探测器已有几种型号。其中之一在有直径7 mm开口的探测器中组合6个10 mm×10 mm的硅光电二极管,效率大于99%。另一型号在有直径12 mm开口的探测器中组合6个18 mm×18 mm光电二极管,效率更高,误差小于0.05%。该院研究人员希望继续这项研究,发展更简单的阱结构,使用更少的光电二极管,并使视场更大。     

重复率2 kHz、输出10 W的ArF准分子激光器

日本ウシオ电机株式会社批量生产标准样机,开发了一种重复率2 kHz、输出10 W的ArF准分子激光器。其稳定性±0.25%、线宽0.4 pm、脉宽50 ns,性能达到世界最高水平。 ArF激光波长为193 nm,可用作生产线幅0.10～0.13 μm半导体的光刻用光源。 该公司还利用相同的ArF激光器,在世界上首次实现重复率4 kHz、输出20 W的基本性能。 (以上由江涛供稿)     

MICROTUNE推出CABLE宽带应用RF上行信号放大器

世界著名的ＭｉｃｒｏｔｕｎｅＴＭ 公司日前宣布推出业界性能最高且功耗最低的新型ＲＦ上行信号放大器ＭｉｃｒｏＳｔｒｅａｍｅｒＴＭ ,以供宽带ｃａｂｌｅｍｏｄｅｍ、ｃａｂｌｅ电话、机顶盒和数字交互式领域的应用。Ｍｉｃｒｏｔｕｎｅ的这种用于交互式消费类电子设备的全芯片双向ＲＦ“通路”产品丰富了Ｍｉｃｒｏｔｕｎｅ的芯片种类 ,而且处理性能、速度和可靠性更高。此新型射频（ＲＦ）上行信号放大器系列中的第一个产品单芯片部件为ＭＴ１５３０ ,该Ｍｉｃｒｏ -ＳｔｒｅａｍｅｒＭＴ１５３０支持ＤＯＣ ＳＩＳ和ＥｕｒｏＤＯＣＳ…     

日本半导体激光器的某些进展

据日本电子工程杂志(JEE,1974,№.92,P.53—55)报导,日本电气公司、东芝公司和日立公司在研制半导体激光器方面有所进展,摘要如下: 日本电气公司 该公司去年(1973)六月份公布了延长红外半导体激光器寿命的研究结果。 利用电子扫描显微镜研究老化原因,发现在异质晶体的结区由于热膨胀系数的     

聚合物前驱体衍生SiC纳米棒的光学性质

采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C：Si接近1：1。用微区Raman和光致发光方法研究了纳米棒的光学性质。观测到SiC的TO模式对应的Raman峰和相邻肩峰。对SiC纳米棒观测到其紫外3．25eV附近强的光致发光峰,我们认为它归结为α型SiC带间的跃迁。通过XRD、Raman和光发射谱,我们推测前驱体热裂解得到的SiC纳米棒是一个混晶,纳米棒的表层是立方晶,而内层主要为a—SiC。     

空气/水界面水分子的取向和运动

对四种不同的实验构型下空气／水界面自由O-H键在3700cm~(-1)的和频振动光谱的分析表明,水分子在空气／水界面的取向运动只可能是在平衡位置附近有限角度之内的受限转动。界面水分子的自由O-H键取向距界面法线约33°,而取向分布或运动的宽度不超过15°。这一图像显著地不同于Wei等人(Phys. Rev. Lett.86,4799(2001))只通过单一的SFG实验构型所得出结论,即：空气／水界面的水分子在超快的振动弛豫时间内在很大的角度范围内运动。     

Resistivity－temperature characteristics of sol gel YBa2Cu3Oy samples synthesized in flowing oxygen atmosphere

The relationship of resistivity versus synthesizing temperature of sol gel YBa_2Cu_3O_y samples was studied when prepared under flowing oxygen conditions. A set of high-temperature ρ－T curves was obtained for the whole process. After the sample finished the test measuring, its resistivity was ρ_{300}=9.83×10^{-3 }Ω·cm at room temperature. The ρ－T curve also showed that the orthorhombic－tetragonal phase transformation of sol-gel YBa_2Cu_3O_y sample occurred at 581℃ for the sample in the rising temperature process, but at 613℃ in the cooling process, lower than that of the samples made by using the conventional powder metallurgy methods.     

一种新的超导储能磁体结构优化方法北大核心CSCD

高温超导线材的各向异性一直影响其在工程中的使用性能,临界电流主要受磁体最大垂直磁场(垂直于带材表面)决定,最大应力通常出现在最大轴向磁场(平行于带材表面)处.文章针对单螺线管超导储能磁体,从增大临界电流和减小机械应力两方面出发,提出一种新的超导储能磁体结构优化方法.利用MATLAB从不同径高比(平均半径/高)着手,计算带材总长度为2000m的多组磁体结构参数,建立了单螺线管超导磁体的有限元模型,结合COMSOL仿真软件获得多组结构参数的应力、磁场分布以及磁场最大值,将承受最大应力区域的磁体转移至磁体两端中部区域.对参与转移的磁体参数进行计算,分析对比不同转移参数对磁体应力和临界电流的影响.仿真结果表明,对比常规磁体,优化后的磁体能有效减小最大垂直磁场从而增大临界电流,减小最大轴向磁场从而减小最大应力,对超导储能磁体的优化具有重要意义.     

从山寨到主流——联发科竞争力初探

1联发科奇迹 联发科技股份有限公司（英文全称叫MediaTek,简称“MTK”）创立于1997年,是世界顶尖的IC专业设计公司,位居全球消费性IC芯片组的领先地位。产品覆盖数码消费、数字电视、光储存、无线通讯等领域,是亚洲唯一连续六年蝉联全球前十大IC设计公司的华人企业,被美国《福布斯》杂志评为“亚洲企业50强”。     

作毫米波开关的应变层PIN二极管

ＤａｉｍｌａｒＣｈｒｙｓｌｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒａｎｄＵｍｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＵｌｍ首先报道了在ＧａＡｓ衬底上生长应变Ｉｎ 0 52Ｇａ 0 4 8ＡｓＰＩＮ二极管 ,并可用作开关ＭＭＩＣ。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,ＩｎＰ基ＩｎＧａＡｓＰＩＮ二极管胜过ＧａＡｓ开关电路 ,同时还具有低的ＤＣ功率以及极高的隔离度。为了避免ＩｎＰ衬底的有关工艺问题 ,采用ＭＢＥ方法把应变层ＩｎＧａＡｓ二极管生长在ＧａＡｓ上 ,采用线性ＩｎＡ1Ａｓ应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的ＳＰＳＴ隔离度高达 4 5ｄＢ …