A≤208核区的矮共振现象及自旋同位旋偶极振荡

本文采用不同的两体力对Pb²⁰⁸的1^-态及其E1跃迁做了粒子空穴计算,对Hg²⁰⁰、Pt¹⁹⁴、W¹⁸⁴等核,以BCS波函数为基矢也做了同样的计算。计算结果与实验结果在总的趋势上是相符的。此外,计算指出了低l组态的E1跃迁从巨共振的退耦合和低能处的自旋-同位旋振荡以及表明了自旋轨道耦合力对矮共振的影响。     

关于壳模型和生成坐标方法在j~3系统的解

本文分别从克模型和生成坐标方法(GGM)出发给出了j~3体系的解,GCM在同时考虑了所有可能的费米子和玻色子收缩后能够得出与壳模型完全一致的严格解。因此有理由预期在处理核内玻色和费米自由度之间的耦合时,GGM是一种有效的微观方法。     

氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响

以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。     

Effect of Zn Interstitials on Enhancing Ultraviolet Emission of ZnO Films Deposited by MOCVD

ZnO films are grown on Si （111） substrates by a metal organic chemical vapor deposition method. Samples with different stoichiometric composition of Zn and 0 are obtained by varying Ⅱ/Ⅵ molar ratio between 3 and 1/3 in precursors. The x-ray photoelectron spectroscopy and photoluminescenee results show that the ultraviolet emission enhances with the increasing Zn/O composition ratio of the samples. It is suggested that the supertfluous Zn atoms pile up at interstitial positions to form Zn interstitial defects. The radiated recombination of the coupling of free exeitons with donor Zn interstitial enhances the ultraviolet emission of the samples.     

基于差分进化的非规则LDPC码分布对优化

讨论了基于差分进化的非规则LDPC码分布对优化方法。在分布对的优化搜索过程当中,联合使用了差分进化算法(EA)与密度进化算法,并对这种联合技术的实现方法和约束条件处理做了研究。用密度进化算法作为差分进化算法的目标函数,优化搜索出了一组AWGN信道下好的非规则LDPC码分布对,且计算出了各分布对的近似门限值。该方法充分利用差分进化算法的健壮性、有效性以及搜索结果全局最优的特点,是一种有效的好LDPC码搜索技术。     

数据采集系统应用的高速并行A/D转换器

本文介绍了高速并行A/D转换器MAX1448在数据采集系统中的应用。     

认知无线电系统中的关键技术研究

深入研究了当前认知无线电中的关键技术,讨论了认知无线电系统的体系结构,分析了主流频谱感知技术并对比了其特点。同时给出了当前动态频谱管理研究的新进展。     

退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响

采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮Zn0薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为Zn0:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:N薄膜中,存在两种与N相关的结构,分别是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),这两种结构分别于不同的退火温度下存在,并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度,这一点也由霍尔测量结果得到证实.同时,从低温PL光谱中观察到了与N.受主有关的导带到受主(FA)和施主-受主对(DAP)的跃迁,并由此计算出热氧化法制备的ZnO:N薄膜中的N.受主能级位置.     

瞬态热阻测试在贴片二极管在线测试中的应用

表面贴装整流极管的焊接质量直接影响其可靠性.提出了通过测试与瞬态热阻等价的热敏电压增量来评价焊接质量、筛选焊接不良的产品.利用TRR8000测试仪对样品进行合适条件下的在线筛选,能够有效剔出焊接不良产品,提高表面贴装整流二极管的可靠性.     

全反射导光型光子晶体光纤的基模损耗研究

应用多极法对全反射导光型光子晶体光纤的基模损耗进行了数值模拟,研究了结构参量如空气孔直径、孔距和包层空气孔层数等在1.31和1.55μm处对基模损耗特性的影响.研究发现,随着波长的增大,光纤基模损耗近似呈指数增大;通过选择高空气填充率的结构和增加包层空气孔的层数,都可以显著降低光纤基模损耗.其中,包层空气孔层数对基模损耗的影响最大,空气孔直径次之,孔间距最小.