中国充电器标准化带来的变化

中国政府率先开始了手机充电器的标准化,其目的是让用户更换手机终端后可继续使用原来的充电器,从而通过削减废弃物达到保护环境的目的。     

在3．39μm波段甲烷吸收特性的测量与应用研究

报道了甲烷气体在３．３９μｍ波段吸收特性的研究结果，及其在３．３９μｍ波段多波长干涉测量中的应用。通过改变甲烷吸收室的充气参数，使激光器工作在双等光强工作点，并完成了绝对距离的干涉测量。     

有限元方法在中子测井数值模拟中的应用

讨论了有限元方法在中子测量井数值模拟中的应用。用有限元方法求解多群Ｐ１近似中子输运方程，编制了二维有限元程序ＦＥＭＬＯＧ，并对中子测井问题进行了数值计算，所得结果同国际通用二维ＳＮ程序的计算结果进行了比较，二者符合良好，但其计算速度比ＳＮ方法快得多。     

舒兰褐煤树脂组分中某些分离物的化学研究

我国褐煤资源丰富 ,分布于云南、吉林、黑龙江、山东和内蒙古等地。褐煤除作燃料和腐植肥料外 ,还应用于轻化工和机械工业 ,如从褐煤制取褐煤蜡。褐煤蜡中含有较多的树脂物质 ,影响了褐煤蜡的质量 ,因此通常褐煤蜡树脂作为废弃物脱除 ,以提高褐煤蜡的质量。褐煤蜡的化学组成为纯蜡和树脂 ,前者为高碳脂肪酸和脂肪醇的酯类、游离脂肪酸和脂肪醇 ,以及烃类物等 ;后者则以萜类为主 ,并含有甾醇、羟基酸和烃化合物[1～ 5] 。 1982年唐运千等采用红外光谱和氢核磁共振谱检定 ,褐煤树脂中含有 β 谷甾醇 ;柱层析和薄层层析检出雌二醇和雌酚酮[2 ] …     

壳聚糖衍生物的制备及其吸附性能

壳聚糖衍生物的制备及其吸附性能曲荣君，马千里，郑秀丽，孙言志（烟台师范学院化学系烟台２６４０２５）关键词壳聚精衍生物，制备，吸附壳聚糖（ＣＴＳ）是重金瞩离子的吸附剂￣［１，２］，由于壳聚精分子中的－ＮＨ＿２在ｐＨ较低的水溶液易形成而使ＣＴＳ溶于水，造...     

Co处理的γ-Fe2O3薄膜的界面研究

本文中对CoO与Fe₂O₃的界面进行了研究,结果表明,简单的CoO-γ-Fe₂O₃界面对于磁性能基本无影响。分析表明,“复杂的扩散界面”不大可能象以往认为的那样是矫顽力增长的主要原因。矫顽力的增长可能是由掺Co造成的一种体效应而不是界面效应。 关键词：     

铈对Al-Mg-Si合金断裂特性的影响

用扫描电镜、透射电镜研究了铈对Al-Mg-Si合金断裂特性的影响。结果表明,在充分时效条件下,铈使该合金由沿晶脆性断裂变为穿晶与沿晶混合断裂,显著提高了合金的韧性。这是由于铈改变了合金晶内和晶界沉淀物的大小和分布,并在合金的晶内形成含铈的非共格弥散粒子的缘故。     

娃儿藤成分ⅡX射线研究

本文报道了从人参娃儿藤(Tylcphora Kerrii Crab)中提取的一个娃儿藤成分Ⅱ的分子及晶体结构。晶体为三斜晶系,晶胞参数:a=13.534(4)(?),b=7.704(1)(?),c=14.480(6)(?),α=93.66(3)°,β=108.61(3)°,γ=89.04(2)°空间群为P_1,Z=2,D_(Ca1)=1.09g/cm~3。结构模型由SHEXTL程序解出,经最小二乘修正,最后的一致性因子R=0.064。该化合物的晶体在不对称单位内包含了两种化学成分相同,而结构不同的分子。     

A General, Highly Efficient Ullmann C-O Coupling Reaction under Microwave Irradiation and the Effects of Water

A general, rapid and highly efficient method for the synthesis of diaryl ethers under the assistance of microwave irradiation was described. A series of diaryl ethers were prepared by direct coupling of phenols and aryl halides in good to excellent yields in anhydrous DMF or NMP at 150 ℃ within 20 rain. The presence of water was found to have a significant impact on the Ullmann C-O coupling reaction between aryl halides and phenols under microwave irradiation.     

硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响（英文）

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。