全文获取类型
收费全文 | 1014篇 |
免费 | 150篇 |
国内免费 | 216篇 |
专业分类
化学 | 376篇 |
晶体学 | 24篇 |
力学 | 24篇 |
综合类 | 12篇 |
数学 | 67篇 |
物理学 | 267篇 |
无线电 | 610篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 18篇 |
2022年 | 20篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 16篇 |
2019年 | 25篇 |
2018年 | 11篇 |
2017年 | 13篇 |
2016年 | 19篇 |
2015年 | 31篇 |
2014年 | 54篇 |
2013年 | 41篇 |
2012年 | 35篇 |
2011年 | 49篇 |
2010年 | 38篇 |
2009年 | 45篇 |
2008年 | 57篇 |
2007年 | 59篇 |
2006年 | 68篇 |
2005年 | 80篇 |
2004年 | 70篇 |
2003年 | 55篇 |
2002年 | 54篇 |
2001年 | 58篇 |
2000年 | 46篇 |
1999年 | 38篇 |
1998年 | 31篇 |
1997年 | 40篇 |
1996年 | 25篇 |
1995年 | 25篇 |
1994年 | 45篇 |
1993年 | 16篇 |
1992年 | 34篇 |
1991年 | 22篇 |
1990年 | 15篇 |
1989年 | 14篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 11篇 |
1985年 | 11篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 6篇 |
1976年 | 2篇 |
1974年 | 4篇 |
1973年 | 2篇 |
1955年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
排序方式: 共有1380条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
本文介绍了数字录像机的压缩编码方式的基本原理。讨论各类码率压缩数字录像机的技术特点和在应用中应考虑的因素。 相似文献
82.
激光测距弱信号数字相关检测技术的研究和仿真 总被引:28,自引:3,他引:28
针对激光远程测距或恶劣环境测距中回波弱信号信噪比低 ,难以提取的困难 ,提出运用数字相关检测技术进行处理 ,并对单脉冲互相关、多脉冲互相关等数字处理技术作了介绍 ,并结合激光雷达的测距系统进行一系列仿真和计算 ,收到了良好效果 相似文献
83.
84.
提出了一种极化相控阵弹载雷达系统,以提高导弹制导雷达的电子战性能。该雷达是一个全相参和全极化的系统,采用极化数字波束形成技术实现对干扰的空域抑制,采用脉冲压缩技术和瞬态极化目标识别技术实现对目标信号的正确分选。阐述了一种极化阵列制导雷达的系统设计方案,论述了在此系统中数字波束形成的实现方法,研究了一种全极化信号处理方法,并通过仿真实验分析了该雷达的抗干扰性能。提出的抗干扰方法结合了数字波束形成技术和极化信号处理技术的优点,增强了制导雷达对各种电子干扰的综合对抗能力,在系统实现上具有可行性。 相似文献
85.
86.
3G的发展方向必须拨乱反正 总被引:2,自引:3,他引:2
3G的主导业务应该是移动因特网业务,最初的3G标准都是上下行信道容量基本对称,存在严重缺陷。cdma2000标准已做出重大改进,抛弃了cdma20003X标准和CDMA方式,转向EV-DO方式。但WCDMA和TD-SCDMA标准并未做出相应改动。因此,采用cdma2000 1X和EV-DO方式建设国家3G网络将是最经济合理的方式。TD-SCDMA标准的多项参数说明它适用于步行移动通信系统,依靠智能天线技术很难改变它的基本特征。 相似文献
87.
采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0.49%变为-0.16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长. 相似文献
88.
89.
90.
研究了使用电化学沉积法于碱性条件下在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O薄膜的方法。循环伏安曲线表明Cu2O与Cu的阴极峰分别位于-500 mV(vs Ag/AgCl)和-800 mV(vs Ag/AgCl)附近。利用循环伏安法考察了生长温度和电解液pH值等对Cu2O与Cu阴极峰电位的影响,阴极峰随生长温度的升高以及pH值的降低而略向阳极移动,沉积电流也随之相应增大。与弱酸性条件相比,上述两个阴极峰随pH值升高而移动的程度明显减小,这可能与碱性条件下C3H6O电离程度增大以及C3H6O根作为配体的过量程度有关。通过X射线衍射光谱和扫描电子显微镜的表征证实,在所研究的生长温度区间和pH值内可利用电化学沉积法在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O纳米混晶薄膜。在相同的生长温度和pH条件下,电化学沉积电位对样品表面形貌和晶体性质具有较大影响。 相似文献