小封装二极管的热阻测试

随着封装体积的减小,半导体分立器件引线的外露部分也越来越小,这给引线温度的测试带来了巨大挑战.以封装外形为SOD-123FL的小电流整流二极管为例,介绍了结到引线的热阻和结到环境的热阻的测试方法.通过测量焊接于引线端部的小尺寸二极管芯片以及被测样品在不同温度下的热敏电压,实现了对小封装器件的引线温度和二极管本身结温的精密测量.     

线性电位扫描法测定镍的钝化行为

利用电化学分析仪的线性电位扫描法功能测定镍在硫酸 (和不同氯离子浓度 )溶液中的钝化行为。该方法与传统的用模拟电路仪器测定相比 ,具有操作简便、灵敏度和精度高、数据处理方便等优点     

夫琅禾费衍射的计算机模拟

根据夫琅禾费衍射理论,利用数学软件及计算机蒙特卡罗随机抽样办法,准确地再现了现象及规律,可应用于辅助教学。     

SPM探针制造技术的研究和发展

探针是扫描探针显微镜的核心部分,结构及针尖的表面状态会影响此类仪器的操作性、可控制性、工作稳定性、可靠性以及其它性能的发挥。探针及其相关技术的研究进展成为人们十分关注的问题。探针对表面物理信息的检测是一个针尖与试样表面相互作用的过程,包含物理、几何关系,还包含表面微观化学作用及其它微观因素的影响。本文探讨探针与表面相互作用关系,并就近些年探针技术发展讨论探针性能、针尖及相应结构的改进,探针功能的拓展以及功能的组合,讨论相关制备技术方法、特点和相应检测条件、适用环境等。     

WiMAX无线宽带技术对3G的影响

WiMAX的全称为world interoperability for microwave eaccess,即全球微波接入互操作性,又称IEEE 802．16a标准。WiMAX的目标是帮助推动和认证采用IEEE 802．16和欧洲电信标准化协议(ETSI)HiperMAN无线城域网规范的宽带无线产品的兼容性和互操作性,其任务是加快符合IEEE 802．16技术标准的无线宽带设备的上市速度,加速全球最后一公里的宽带部署。     

cdma2000无线接入标准研究和中国3G应用的探讨

本文从频率分配、频道带宽和用户数据速率调整机制等诸多方面分析了cdma2000无线接入标准特征,认为cdma2000在三大主流国际标准中更胜一筹,建议我国的3G网络建设选择cdma2000及1x EV-DO标准.     

ZnO/p-Si异质结的光电转换特性

通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.     

冲击载荷对火炮复进机性能的影响

为了研究火炮后坐冲击载荷对复进机性能的影响作用,采用分段处理多变指数方法,将复进机整个瞬变工作过程分为2个压缩子过程和2个膨胀子过程,分析了每个子过程中气体的实际特性。理论分析与实验结果均表明,冲击载荷作用下,火炮复进机内密闭高压气体在瞬变工作过程中的热力学特性不同于普通气动装置,其气体多变指数取值并非始终局限于等温过程与绝热过程之间,而这会对复进机性能产生明显影响。与以往处理方法相比,综合考虑了内摩擦与传热作用,使结果更加接近实际。     

ZnO/Si异质结的光电转换特性研究

利用直流反应溅射方法在p型Si衬底上生长掺Al的n型ZnO薄膜,测量了由n型ZnO薄膜和p型Si衬底组成的异质结在黑暗和光照条件下的I-V特性,结果表明该异质结具有优良的整流特性,而且在光照条件下的反向电流迅速增大并很快趋于饱和.通过测量ZnO薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应,初步分析了异质结的光电转换机理.测量结果显示,在入射光波长为380nm时光电流强度明显下降,反映出光电流与ZnO薄膜禁带宽度的密切关系;同时还发现,在与ZnO禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反.推测这一现象与异质结的能带结构密切相关. 关键词： ZnO薄膜 异质结 光电转换 光谱响应     

Effect of Al Doping on Properties of SiC Films

Undoped and Al-doped 3C-SiC films are deposited on Si（100） substrates by low-pressure chemical vapour deposition. Effects of aluminium incorporation on crystallinity, strain stress, surface morphology and growth rate of SiC films have been investigated. The x-ray diffraction patterns and rocking curves indicate that the crystallinity is improved with aluminium doping. Raman scatting patterns also demonstrate that the strain stress in SiC films is released due to the incorporation of Al ions and the increase of film thickness. Furthermore, due to the catalysis of surface reaction which is induced by trimethylaluminium, the growth rate is increased greatly and the growth process varies from three-dimensional island-growth mode to step-flow growth mode.