光站反向激光器热稳定性的分析及其降温实践

本文分析了环境温度对反向激光器的影响,简要介绍了光站降温的方法。运用此方法对光站可起到快速降温的效果,以达到提高光站工作可靠性的目的。     

择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si(001)单晶衬底上制备出(111)和(001)取向的MgO缓冲层薄膜,随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3(BST30)铁电薄膜.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现,在较厚的MgO(001)缓冲层上可长出(101)取向的BST30薄膜,而在较薄的MgO(111) 缓冲层上则表现出(101)和(111)取向相互竞争的现象,随着MgO(111)缓冲层厚度的增加,BST30薄膜的(101)取向被抑制,而(001)取向逐渐增强.利用反射率测定仪、阻抗分析仪研究了BST30薄膜的光学和电学性能. 通过改进的单纯形法拟合反射率曲线,得到了BST30及其MgO缓冲层薄膜的光学常数, 由BST30薄膜的电压-电流特性(I-V曲线),发现MgO缓冲层对BST30薄膜的漏电流有明显的阻隔作用,可以有效消除BST30膜层的p-n结效应.     

WiMAX无线宽带技术对3G的影响

WiMAX的全称为world interoperability for microwave eaccess,即全球微波接入互操作性,又称IEEE 802．16a标准。WiMAX的目标是帮助推动和认证采用IEEE 802．16和欧洲电信标准化协议(ETSI)HiperMAN无线城域网规范的宽带无线产品的兼容性和互操作性,其任务是加快符合IEEE 802．16技术标准的无线宽带设备的上市速度,加速全球最后一公里的宽带部署。     

cdma2000无线接入标准研究和中国3G应用的探讨

本文从频率分配、频道带宽和用户数据速率调整机制等诸多方面分析了cdma2000无线接入标准特征,认为cdma2000在三大主流国际标准中更胜一筹,建议我国的3G网络建设选择cdma2000及1x EV-DO标准.     

ZnO/p-Si异质结的光电转换特性

通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.     

SPM探针制造技术的研究和发展

探针是扫描探针显微镜的核心部分,结构及针尖的表面状态会影响此类仪器的操作性、可控制性、工作稳定性、可靠性以及其它性能的发挥。探针及其相关技术的研究进展成为人们十分关注的问题。探针对表面物理信息的检测是一个针尖与试样表面相互作用的过程,包含物理、几何关系,还包含表面微观化学作用及其它微观因素的影响。本文探讨探针与表面相互作用关系,并就近些年探针技术发展讨论探针性能、针尖及相应结构的改进,探针功能的拓展以及功能的组合,讨论相关制备技术方法、特点和相应检测条件、适用环境等。     

溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性

近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱,研究了发光与薄膜晶体结构,以及发光与激发电子束流的关系等。并从中推测出ZnO薄膜中的发光中心。     

薄膜生长的多重分形谱的计算

规则分形具有理想的标度不变性,而随机分形(如薄膜生长)概率分布曲线及标度不变性的范围与计算方法有关:以偏离平均高度的方差值求概率,标度不变性不好,多重分形谱也不光滑;而以薄膜平均底面为基准面求概率得到的标度不变性可延伸到3个数量级,多重分形谱光滑.采用外延的方法修正灰度设置的偏移可以对多重分形谱有所改善.另外,讨论了权重因子q取值范围的影响,确定了q的取值范围.     

Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究

本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.