谁说AV不发烧？！——Integra全系列试听记

前些天见到一位发烧同好,没聊上几句,就叹道世风日下,人心不古……按说好端端的音响广场,怎的竞让AV来一统天下!言下之意,双声道这样的正统,实在不应该输给那小儿把戏似的AV的.     

惠威之善事新利器—杜希D3．2HT数字影院音箱

杜希D3.2应该是个"老产品"了,留心音响杂志的朋友大概早就听说过,说不定有些读者正在家中使用这款音响,而我为朋友定制的"音响套餐"中也屡屡出现过这道大菜.说实话,要想在较少的投资里获得Hi-Fi和AV并重的效果,这款音响实在是非常值得优先考虑的.     

气体压强的演示

如图１所示，取粗５ｍｍ长５５ｃｍ的玻璃管图１弯成Ｕ型管，左管比右管低３～４ｃｍ，往管中灌些水银．找来大号的一次性针筒，将针尖穿过橡皮塞插入烧瓶中，制成简易的气体压强演示器．拉动针筒中的活塞，可改变烧瓶内气体体积，从而可以测定气体不同状态下的压强．这时瓶内气体压强ｐ可从Ｕ型管水银面的高度差ｈ的读数及大气压Ｈ的数值，利用公式ｐ＝Ｈ±ｈ求得．此装置还可验证波意耳马略特定律．通过移动针筒中的活塞，可以改变瓶内气体的体积，再从上述方法中得到压强的改变，从中不难看出一定质量的气体在温度不变的条件下…     

择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si(001)单晶衬底上制备出(111)和(001)取向的MgO缓冲层薄膜,随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3(BST30)铁电薄膜.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现,在较厚的MgO(001)缓冲层上可长出(101)取向的BST30薄膜,而在较薄的MgO(111) 缓冲层上则表现出(101)和(111)取向相互竞争的现象,随着MgO(111)缓冲层厚度的增加,BST30薄膜的(101)取向被抑制,而(001)取向逐渐增强.利用反射率测定仪、阻抗分析仪研究了BST30薄膜的光学和电学性能. 通过改进的单纯形法拟合反射率曲线,得到了BST30及其MgO缓冲层薄膜的光学常数, 由BST30薄膜的电压-电流特性(I-V曲线),发现MgO缓冲层对BST30薄膜的漏电流有明显的阻隔作用,可以有效消除BST30膜层的p-n结效应.     

溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性

近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱,研究了发光与薄膜晶体结构,以及发光与激发电子束流的关系等。并从中推测出ZnO薄膜中的发光中心。     

Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究

本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.     

热压聚合物微流体芯片成型过程的温度场有限元模拟研究

热压法(Hot embossing)是一种快速复制微流控芯片的技术.它是生产高质量、高精度聚合物材料微流体芯片的一种方法.     

基于无接触电导检测和流动注射进样的微型毛细管电泳系统

毛细管电泳(CE)电导检测(CD)是相对较灵敏和仪器结构简单的一项溶液分析技术,尤其是对于无生色团的无机离子分析更具有突出优势.然而,目前众多商品CE仪器并不配置CD检测器,这极大地限制了该项技术的发展.