不等式组与变分不等式的极大熵函数方法

利用极大熵函数方法将不等式组及变分不等式的求解问题转化为近似可微优化问题，给出了不等式组及变分不等式问题近似解的可微优化方法，得到了不等式组和变分不等式问题的解集合的示性函数．     

整流二极管的IR对HTRB工作寿命的影响

整流器件在工作中的可靠性往往与其漏电流特别是在高温下的漏电流有密切关系,然而对高温下的漏电流往往关注不够。通过对常温与高温漏电流的对比测试,发现两者并没有一致的对应关系;通过对高温漏电流有较大差别的两组样品的高温反偏寿命试验表明:高温漏电流越大,高温反偏寿命越短,说明高温漏电流对高温反偏寿命有重要影响。依据此结果提出了通过对高温漏电流进行测试,实现对高温反偏寿命进行分档、筛选的设想。介绍了利用正向脉冲电流对二极管的pn结进行瞬态加热以实现对高温反向漏电流的快速测试的具体方法。     

PMMA膜四波混频特性研究

作为一种重要的非线性光学效应,四波混频已在多种介质中观察到,并进行了广泛的研究。 本文首次用四波混频对推拉型偶氮类聚合物掺杂(PMMA)膜的非线性光学特性进行了探讨。 四波混频来源于三束光对介质的联合作用所产生的三阶非线性极化,正是这个极化的辐射导致第四束光的产生。     

ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响

利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/pSi异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E₁=E_v+0.21eV,E₂=E_v+0.44eV,E₃=E_v+071eV;而1000℃退火样品仅存在一个E₁=E_v+021eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱。发现1000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。     

择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征

采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在（100）Si衬底上成功制备了高度（100）择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对 （100）MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论,并利用XRD,AFM,FESEM等手段研究了在（100）Si和（100）TiN/Si两种衬底上,不同工艺条件下MgO薄膜的表面和断面微观结构,表征了MgO薄膜的柱状生长结构和与TiN薄膜的良好外延关系.在对薄膜光学特性的研究中,利用Sellmeier模型获得了Si上MgO薄膜在可见光波段的折射率参数（550 nm处折射率为1.6 关键词： MgO薄膜 择优取向 直流溅射 折射率拟合     

长脉冲微波热声效应的实验研究

微波热声效应是一种生物组织在微波脉冲信号的照射下向外辐射声波信号的特殊现象,产生的声波信号携带着生物组织对微波信号的吸收特性,以及生物组织吸收微波能后发生的一系列生物化学物理反应的变化等信息。本文介绍了电子科技大学设计、搭建的一套脉冲宽度6ms,功率约800W的长脉冲微波热声效应实验系统,并介绍了初步实验研究结果。结果表明在长脉冲条件下,微波热声效应与微波的脉冲特性有复杂的关联性,内涵丰富的物理化学机制,具有很大的潜在研究价值。     

一种有机聚合物准波导结构的光学双稳

一种有机聚合物准波导结构的光学双稳王慧田，董凤忠，张占祥，叶佩弦（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）傅兴发，邱玲，沈玉全（中国科学院感光化学研究所，北京１０００８０）本文从原理和实验上对有机聚合物薄膜准波导结构的光学双稳的产生机制和特性进行了研...     

人骨髓间充质干细胞的超微结构

目的：分离培养人骨髓骨充质干细胞，进行超微结构观察。方法：冲洗出流产胎儿股骨髓内容物，梯度离心，取舍有骨髓间充质干细胞的低密度血小板层进行,立春 透射电镜，扫描电镜下进行超微结构的全面观察，结果：透射电镜下可见细胞有两种不同的形态结构，细胞间有许多缝隙连接；扫描电镜下可见细胞表面有短而粗的微绒毛突起，结论：培养的细胞有适宜作为组织工程种子细胞的形态学基础。     

3G的发展方向必须拨乱反正

3G的主导业务应该是移动因特网业务,最初的3G标准都是上下行信道容量基本对称,存在严重缺陷。cdma2000标准已做出重大改进,抛弃了cdma20003X标准和CDMA方式,转向EV-DO方式。但WCDMA和TD-SCDMA标准并未做出相应改动。因此,采用cdma2000 1X和EV-DO方式建设国家3G网络将是最经济合理的方式。TD-SCDMA标准的多项参数说明它适用于步行移动通信系统,依靠智能天线技术很难改变它的基本特征。     

Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较

采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0.49%变为-0.16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长.