在MOCVD外延生长中V/Ⅲ比对Al_xGa_(1-x)As外延层中A1组分分布的影响

本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,外延层中的Al组份出现很明显的层状阶梯形三层分布:靠近基片的一层中x值较低,而在外延层的表面层中x值较高.随着生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比增加时,Al组份的分布趋于均匀.利用GaAs的高温热分解和Ga、As离子在晶体中的热扩散及其对外延生长的影响,对这一现象作了初步解释.     

3－氯丙基三烷氧基硅烷的合成及其波谱表征

以醇／三乙胺方法合成了六种新的３－氯丙基三烷氧基硅烷；对产物结构的ＩＲ、￣１ＨＮＭＲ和ＭＳ的特征波谱进行了表征。     

反射损耗的测量与改善措施

反射损耗是衡量电视设备终端阻抗匹配程度的一项重要指标。设备两端匹配良好,可以把反射的能量全部吸收,或者说对反射的能量损耗很大。所以,反射损耗愈大愈好。当图象信号源、卫星电视接收设备、传输电缆、有线电视网络、彩色监视器等接口有阻抗失配现象时,都会产生反射。轻者波形失真,重者会引起非常显著的轮廓效应或单个及多个重影。因此,反射损耗的测量显得尤为重要。     

光斑矩参数阵列测试法的测量不确定度

光斑强度分布的测试在目标跟踪检测、激光光束质量诊断和激光束波前测量等方面具有重要：意义。常用的光斑测试法有面阵CCD法、线阵CCD扫描法、单元探测器扫描法、热敏纸法以及针对某些特殊应用的各具特色的阵列测试设备法。这些方法最终都将给出探测面上光斑强度二维离散分布数据，故都可等效为阵列测试法。     

基于闪存的TM320VC5402并行引导设计与实现

文章提出了一种基于闪存的TMS32 0VC5 4 0 2并行引导设计与实现。以SST39VF4 0 0A为例介绍了闪存的主要特点和烧写方法 ,讨论了用TMS32 0VC5 4 0 2控制闪存的一种硬件平台设计。最后 ,详细说明了TMS32 0VC5 4 0 2 16位并行引导的原理与实现方法     

在等离子腐蚀中二氧化硅和硅的相对腐蚀速率的控制

等离子腐蚀对于半导体工艺来说是一种新的技术,在较低的成本下,根据成品率和分辨率的改进,这一技术可望有许多优点超过液体腐蚀方法。然而,按照所给出的相对腐蚀速率,选择可行的腐蚀剂是困难的,并限制其应用于某些材料上。迄今所采用的腐蚀剂对硅衬底上的二氧化硅膜腐蚀成窗口的情况是非常不利的。而在半导体工业上至今限制了等离子腐蚀的范围,这大概是主要的因素。本文的目的是报导这种技术的优点,它能大大抑制对硅的腐蚀,从而对硅和二氧化硅的相对腐蚀速率提供很好的控制。腐蚀工艺辉光放电等离子体通过一个用普通的泵抽气以维持工作压力在0.1和1乇之间的硼     

15169名江西省汉族人ABO血型分布

我站在1985年至1994年，对江西省部分县市的ABO血型分布作了一个调查，调查对象是南昌、抚州及附近地区15169名汉族献血者(已筛去有血缘关系者)。试剂血清自制，抗-A，抗-B效价均为1：128，抗血清亲和力特异性符合规定要求，方法为玻片法，结果如附表。     

羧基苯偶氮基杯[8]芳烃衍生物的合成及表征

以邻、间或对氨基苯甲酸和杯[8]芳烃为原料，经重氮化一偶联反应合成了新型有色邻、间或对羰基苯偶氮基杯[8]芳烃，产物的结构经元素分析，IR，UV－Vis和1H NMR表征，并研究了它们的生色原理和光谱性能，实验结果表明它们是一类新型指示剂和具有新型配位空腔的主体分子。