采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌

使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.     

实时光电混合SAR数据处理器原理及实验

综合孔径雷达(SAR)是一种借助微波全息和光学处理技术而达到很高的测量精度的现代成象雷达。80年代初国外发展的声光器件/电荷耦合器(AOD/CCD)型实时光电混合SAR数据处理器,利用AOD作为输入光调制器,CCD作为光计算探测器,利用     

各类环境调和型封装技术与材料的现状

整理和归纳了各国不同的RoHS相关政策,并分门别类地概括和介绍了各种符合环保法规的封装技术和材料的发展与动态,包括电子元件的环境对应、环境调和型印制电路板技术、低温导电技术、导电性粘结剂、易解体电子产品、CO2减排技术等,并对封装材料日后的环境适应历程进行了预测.     

4°偏轴SiC衬底外延工艺研究

4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。     

新疆生产建设兵团农七师一三七有线电视网络改造设计规划

新疆生产建设兵团农七师一三七团于1994年初建设有线电视台,当时采用藕芯电缆传输12套电视节目,1997年与克拉玛依市有线电视台联网,淘汰原有300ＭＨｚ前端,采用克拉玛依市1550ｎｍ光纤传输的450ＭＨｚ带宽的光信号作前端信号。在当时情况下,因一三七团经济较困难,只对电缆传输的干线做了部分改造,基本能传输450ＭＨｚ的信号。但是随着时间的推移,电缆老化日益严重,传输信号质量不断下降,电缆网的改造已迫在眉睫。因传输距离较近(最远点距前端不足10ｋｍ),因此采用目前技术较成熟,成本较低的1310ｎｍ光纤传输技术,设计思想是从建设“信息高速…     

PHEMT结构材料及器件

概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。     

放大器外壳带电引起的故障

兵团农 7师 137团有些连队有线电视干线横穿沙丘地带 ,“干放”无法接地 ,由于每年春季常有 8级以上大风 ,加上有线电视进入连队后的分配网与电力线路同杆 ,网络带电故障时有发生。一般情况下 ,干线带电都会使“干放”烧坏电源部分 ,有时也会使放大器工作失常 ,使故障查找走弯路。下面就两起放大器外壳带电引起的故障做一介绍 ,供同行参考。(1)一日接到 2连用户反映无电视信号 ,因 2连干线是由供电器倒向供电 (如图 1所示 ) ,因此首先应确定供电器是否正常 ,打开供电器防雨箱见供电器指示灯亮 ,工作电压显示正常 ,且 5号放大器工作正常 ,但…     

污染气体SO_2和NO_2紫外和可见光谱吸收截面测量

本文用我们自己研制的光谱测量系统测量了常温下的ＳＯ２在２５０～３３０ｎｍ波段和ＮＯ２在 ２８０～６００ｎｍ波段的吸收截面,波长分辨率优于０．１ｎｍ．该测量结果可适用于传统低光谱分辨率仪器遥感大 气污染气体含量,也可为激光差分吸收测量或激光雷达测量污染气体含量提供参考．     

基于TAPF算法的红外景象匹配特性研究

红外景象匹配是自动目标识别领域的一个重要方向,如何在复杂的天气条件下提高红外景象匹配概率是研究的难点.在研究不同天气条件下的红外成像和传统匹配滤波器性能的基础上,提出了三值振幅-位相匹配滤波算法（TAPF）,该算法结合了二值振幅信息与二值相位信息进行编码.对比灰度相关、二元纯位相匹配滤波和三值振幅-位相匹配滤波三种相关算法在不同天气下的结果,实验表明,提出的TAPF算法在相关面上的相关峰特性参数均优于其他两种算法,对恶劣的天气条件具有较强的适应性,是一种有效的红外景象匹配滤波算法.     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长

通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法研究材料特性,得到材料参数的典型值:二维电子气浓度在室温时为5.6×1011cm-2,电子迁移率为6000cm2/V·s;在77K低温时浓度达3.5×1011cm-2,电子迁移率为1.43×105cm2/V·s。用C-V法测量其浓度分布表明,分布曲线较陡。典型的器件应用结果为:单管室温直流跨导达280mS/mm,在12GHz时均有8dB以上的增益。