聚己内酯型聚氨酯本体结晶过程研究

采用差示扫描量热法初步研究了聚已内酯型聚氨酯(PU—PCL)硬段本体结晶过程及其结晶动力学。提出 PU—PCL 的结晶过程可分为两个阶段,第一个阶段形成棒晶,第二阶段才形成球晶。     

全息发光二极管——光纤耦合器的理论设计

本文提出了一种新型的耦合器-全息发光二极管-光纤耦合器，进行了理论设计，给出了设计方法及设计结果。结果表明：这种新型的耦合器可显著增加耦合效率。     

毛细管电泳非接触电导分离检测金属氧化物纳米粒子

采用毛细管电泳非接触电导检测技术,以碳酸钠-碳酸氢钠为缓冲体系,同时分离测定了纳米二氧化钛和三氧化二铝两种金属氧化物的悬浮粒子.考察了缓冲溶液种类、浓度及pH对分离效果的影响,探讨了激发频率、激发电压对检测信号信噪比的影响.在最佳分离检测条件下,不同粒径的二氧化钛和三氧化二铝悬浮粒子在8 min内可实现完全分离.所选择的最佳条件为:① pH 10.5缓冲溶液为5 mmol·L-1碳酸钠和碳酸氢钠混合溶液;②分离电压20 kV;③进样条件20 kV,6 s;④激发频率460 kHz;⑤交流激发电压4 V(给出最高的S/N比值).     

反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究

应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2对单晶硅刻蚀选择比分别为 9:1(CF_4)、15:1(C_4F_8).刻蚀后,观察到表面有微量氟碳聚合物,但可用适当方法将氟碳沾污物予以消除.实验表明,C_4F_8反应气体是用于刻蚀SiO_2-Si 系统的较好气体,而CF_3I气体则否. 本文主要报道应用CF_4、C_4F_8在反应离子束刻蚀、镀膜装置(RIBC)中刻蚀SiO_2和Si的实验结果.     

一种MQAM信号的识别算法

由于MQAM信号的概率密度函数服从莱斯分布，从而用莱斯分布来构造识别算法。在信噪比满足SNR≥13db的条件下，识别性能良好。     

3GPP数据加密与完整性算法新视角研究

文章以3GPP最新版本R7为主要依据,修定了原技术规范中的算法原理图,使之更加合理和清晰。同时也从一系列新的角度出发考察了两个算法的性能,针对加密算法给出了一个用于衡量抗跟踪破译能力的新方法,绘制出了专用集成电路(ASIC)芯片穷举破译时所需年限曲线图,针对完整性算法则从信息冗余度出发提出了一些新的见解。