全文获取类型
收费全文 | 660篇 |
免费 | 98篇 |
国内免费 | 94篇 |
专业分类
化学 | 228篇 |
晶体学 | 2篇 |
力学 | 14篇 |
综合类 | 26篇 |
数学 | 37篇 |
物理学 | 162篇 |
无线电 | 383篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 16篇 |
2021年 | 22篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 15篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 19篇 |
2015年 | 15篇 |
2014年 | 32篇 |
2013年 | 27篇 |
2012年 | 28篇 |
2011年 | 14篇 |
2010年 | 35篇 |
2009年 | 29篇 |
2008年 | 28篇 |
2007年 | 42篇 |
2006年 | 16篇 |
2005年 | 30篇 |
2004年 | 19篇 |
2003年 | 32篇 |
2002年 | 29篇 |
2001年 | 40篇 |
2000年 | 64篇 |
1999年 | 24篇 |
1998年 | 13篇 |
1997年 | 10篇 |
1996年 | 28篇 |
1995年 | 11篇 |
1994年 | 27篇 |
1993年 | 10篇 |
1992年 | 13篇 |
1991年 | 10篇 |
1990年 | 18篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 5篇 |
1978年 | 3篇 |
1977年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有852条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
42.
在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景. 相似文献
43.
sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well (QW) p-MOSFETs with HfO2/TiN gate stack were fabricated and characterized. According to the low temperature experimental results, carrier mobility of the strained Si0.5Ge0.5 QW p-MOSFET was mainly governed by phonon scattering from 300 to 150 K and Coulomb scattering below 150 K, respectively. Coulomb scattering was intensified by the accumulated inversion charges in the Si cap layer of this Si/SiGe heterostructure, which led to a degradation of carrier mobility in the SiGe channel, especially at low temperature. 相似文献
44.
几何攻击是目前困扰数字水印领域发展的问题,现有的抗几何攻击的水印技术存在诸多缺陷和不足.本文提出一种基于时域的抗几何攻击水印技术,利用边框这一简单的图形通过对其检测和提取,完成对几何失真参数的检测.考虑到实际应用中存在噪声的影响,用中值滤波和锐化增加了几何参数估计的鲁棒性.利用检测获得的几何失真参数对图像进行校正,使图像基本恢复原图从而无失真地提取水印.同时本文探讨了诸多文献尚未提及的几何失真恢复问题,提出一种模板匹配的方法恢复图像.仿真实验证明,该方法在含水印图像受到几何攻击后,仍可无失真地提取水印. 相似文献
45.
We report an effective method to improve the formation of nickel stanogermanide(Ni Ge Sn) by the incorporation of a platinum(Pt) interlayer. After the Ni/Pt/Ge Sn samples are annealed we obtain uniform Ni Ge Sn thin films,which are characterized by means of sheet resistance, atomic force microscopy, scanning electron microscopy,cross-section transmission electron microscopy, and energy dispersive x-ray spectroscopy. These results show that the presence of Pt increases the smoothness and uniform morphology of Ni Ge Sn films. 相似文献
46.
Wafer-Level Testable High-Speed Silicon Microring Modulator Integrated with Grating Couplers
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
A wafer-level testable silicon-on-insulator-based microring modulator is demonstrated with high modulation speed, to which the grating couplers are integrated as the fiber-to-chip interfaces. Cost-efflcient fabrications are realized with the help of optical structure and etching depth designs. Grating couplers and waveguides are patterned and etched together with the same slab thickness. Finally we obtain a 3-dB coupling bandwidth of about 6Ohm and 10 Gb/s nonreturn-to-zero modulation by wafer-level optical and electrical measurements. 相似文献
47.
48.
随着人们精神文化生活需求的多样化和数字信息技术的发展,文化信息及影音产品越来越多地以数字化的形态呈现、以网络化的方式传播,而市场竞争的加剧要求广电业者要给用户提供更多、更好的服务来满足这种多层次、多方面、多样化的需求。 相似文献
49.
俞大光 《电气电子教学学报》2002,24(2):1-2
为培育本科生创新能力而树立牢固基础,本文建议将目前大学本科电类专业分设的“电路”课和“课和”电磁场课合并为“电工基础”课。并就此提出了四点理由。 相似文献
50.
聚氯乙烯—吡啶树脂的合成及其催化水解反应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在浓氧氢氧化钠作用下,聚氯乙烯与吡啶作用与制成聚氯乙烯-吡啶树脂,测定了其元素组成和红外光谱,并考察了其在酯水解反就听催化活性。 相似文献