把握“十一五”契机推进封装业持续发展——第四届中围半导体封装测试技术与市场研讨会开幕报告

随着电子技术的飞速发展，电子产品正朝着微型化、轻便化、多功能化、高集成化和高可靠性方向发展，而半导体器件与集成电路的封装也朝着多引脚、细间距、多芯片系统级的封装方向迈进。     

射频板条CO2激光器并联谐振条件的研究

本文利用周期性网络模型计算了射频板条ＣＯ２激光器电极的纵向电压分布，探讨了并联谐振技术在板条器件中获得成功运用的原因。提出了利用并联谐振技术进一步提高电压分布均匀性的两个途径。     

基于量子点荧光粉白光LED的发光特性和稳定性研究

基于量子点荧光粉白光发光二极管（WLED）是由蓝色GaN芯片和发红光及绿光的CdSe／CdS／ZnS量子点（QDs）组成。因为CdSe量子点的发射波长可在510~620nm之间调节,导致了其色坐标和色差的可变。采用的CdSe量子点是在制备无机前驱体和非配位溶剂的基础上通过合成方法得到的。实验证实温暖和寒冷白光辐射是由于色温在40009000K区间变化;不同的偏置电压导致了颜色坐标的变化,增加工作时间在90min内对白光发射的稳定性进行分析得到稳定光谱。     

一种设想的微波二极管——势垒注入延迟渡越时间二极管

本文讨论一种改进形式的渡越时间负阻二极管。在这种器件中,载流子进入渡越空间以前,先利用场加速的扩散产生π/2以上的相延迟,以改善微波特性。初步分析说明,这种器件比国外报导的穿通注入渡越时间二极管(又称势垒注入渡越时间二极管)有更好的微波性能。器件的优值(负Q值)可低于10,10千兆赫下效率可达10～20％,连续波输出功率超过1瓦。若进一步提高其大电流工作能力,可望输出更大的连续波功率。这种器件有可能作成一种低噪声微波功率源。     

百尺竿头 更进一步——热烈庆祝《半导体情报》创刊二十五周年

<正> 1964年2月18日创刊的《半导体情报》是我所所刊。它主要报导有关我所科研工作的论文、工作报告、综述、译文以及技术动态与市场信息等,并不定期地出版各种专集。通过这个园地汇集了国内外大量有价值的半导体文献,及时为我所研制出国内最早的硅平面管、硅集成电路、砷化镓场效应晶体管、微波单片集成电路、超高速集成电路、磷化铟     

走出电子专用设备发展的新路——祝贺四川电子生产工程研究开发中心成立

<正> 国营七一五厂第二研究所建所已经三十年了。三十年来,它为我国电子元件设备的发展作出了积极的贡献。在此基础上组建了四川电子生产工程研究开发中心。值此成立之际,谨表示热烈的祝贺!     

5G uRLLC在配电网场景的应用方案

5G uRLLC场景解决了配电网络中配网自动化、差动保护、PMU三大应用场景的通信需求。5G配网差动保护可实现配网线路区段或设备的故障判断及精准定位，快速隔离故障区段或设备，故障隔离时间由分钟级缩短至百毫秒级。基于5G R16的智能配电网同步相量测量装置（PMU）到广域监测系统（WAMS）主站的5G端到端业务授时同步时间误差在240 ns以内，满足PMU装置1μm的精度指标要求。5G的uRLLC特性完全满足智能配电网的业务特性需求。