基于改进模拟退火算法的PCB电子元器件热优化布置研究

为了解决PCB板上电子元器件温度过高的问题,文中基于模拟退火算法介绍了一种PCB电子元器件优化布置的方法。该方法在传统优化方法的基础上进行改进,依次对二维阵列式布置模型和元器件选位进行优化。文中对该方法的建模及优化过程进行分析,并给出了具体的优化案例。通过在热仿真软件Icepak平台将该方法与传统优化方法进行对比,对于文中所选案例,该方法相比传统方法优化了3.09℃,优化率达到8.95%,仿真结果证明了该方法的可行性。     

基于模糊物元分析的冲击地压危险预测研究

为提高冲击地压危险预测模型的准确性及精度,选用ROCK 600-50型岩石三轴流变仪与声发射系统对砂岩进行常规三轴实验。采集岩石的三轴抗压强度、声发射信号强度、声发射绝对能量等多种信号作为评估指标,建立SSA优化BP神经网络对所选数据进行优化和处理,进而设计出以模糊物元分析为基础的冲击地压危险预测模型,最后建立模糊综合评价模型。通过仿真分析验证,结果表明,砂岩试件的各项指标与岩石破裂过程所经历的四种阶段呈对应关系。根据上述选取的特征指标将冲击地压划分成4个危险等级,可为冲击地压预测提供更加精准的依据。     

InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果

<正>众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。为此进行了InGaAs/GaAs HFET的研究。HFET的结构与n~+-AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT(PM-HEMT)结构比较有下述几个特点:①由于不含Al组分,就不存在所谓DX中心深能级的问题;②提供载流子的n-GaAs层的掺杂浓度比n~+-AlGaAs层的低,故器件的击穿电压高,这很适合制作功率器件;③器件工艺与通常的GaAs MESFET相同,器件的可靠性问题容易解决。     

功能化石墨烯/活性炭复合电极及不对称电容器脱盐

以3-氨丙基三乙氧基硅烷(AMPTS)修饰氧化石墨(GO)还原合成氨基功能化石墨烯(GP-NH₂). 傅里叶变换红外(FTIR)光谱和X射线能谱(EDX)分析证明了氨基基团的成功接枝. 以GP-NH₂为添加剂, 制备胺化石墨烯/活性炭(GP-NH₂/AC)复合电极, 并以GP-NH₂/AC 为正极, AC电极为对电极, 组装不对称电容器(AC||GPNH₂/AC)用于电容脱盐. 实验表明, AC||GP-NH₂/AC 单循环脱盐量为7.63 mg·g^-1, 电流效率达77.6%. 利用磺酸重氮盐接枝石墨烯制备磺化石墨烯(GP-SO₃H)及磺化石墨烯/活性炭(GP-SO₃H/AC)复合电极. 并以GPSO₃H/AC为负极, GP-NH₂/AC 为正极, 组装不对称电容器(GP-SO₃H /AC||GP-NH₂/AC)用于电容脱盐, 其平均脱盐速率可达0.99 mg·g^-1·min^-1, 比纯AC电极提高了接近5倍. 充放电速率提高了30%; 而且由于正、负极表面固有电荷的存在, 大大降低了反离子效应, 电流效率由40% (纯AC||AC对称电容器)提高到92.8%. 表明电极内功能化导电石墨烯的存在既提高了导电性, 又兼具离子选择性的作用, 从而明显改善电极的脱盐性能.     

提升创新能力,开创我国集成电路产业发展新局面

2000年以来,中国集成电路产业发展迅速,技术水平显著提升。2006年国内产业规模突破千亿元,市场跃居世界首位,进口规模超过千亿美元,成为全球业界关注的两大热点。去年8月CSIA正式加入WSC,以此为契机,中国集成电路产业与国际产业界的互利合作正在不断发展。近几年国内集成电路产业界的自主创新能力不断提高,涌现了一批具有创新性和先进性;拥有自主知识产权;已经得到实际应用,并在产业化和市场竞争力方面取得一定进展的半导体创新产品和技术。但中国集成电路供需矛盾突出,市场所需的产品仍需大量进口;核心技术严重缺乏;深层次矛盾阻碍进一步发展。未来国内集成电路产业发展的关键在于自主创新。外部环境和产业内在需要将推动我国产业进入创新发展的新阶段。     

把握“十一五”契机 推进封装业持续发展——第四届中国半导体封装测试技术与市场研讨会开幕报告

<正>随着电子技术的飞速发展,电子产品正朝着微型化、轻便化、多功能化、高集成化和高可靠性方向发展,而半导体器件与集成电路的封装也朝着多引脚、细间距、多芯片系统级的封装方向迈进。一、所面临的机遇     

我国IC产业现状分析

近期国家人事部、信息产业部共同兴办了“集成电路产业发展高级研修班”,俞忠钰理事长是主要讲演人之一。本刊将报告内容整理后,拟分为“我国IC产业现状分析”和“我国IC产业发展展望”两部分陆续刊出。由于研究修班举办期间,2005年的生产统计数据尚未公布,所以文中未包括2005年的数据.待公布后,编者将及时补充。     

坚持自主创新持续发展集成电路产业

1 中国IC产业高速成长挑战尤存高速成长中的IC产业进入高速成长期 中国集成电路产业经过了几十年的发展，经历了初创期和改革开放后的摸索阶段，从2000年以来，特别是在国务院18号文件的激励下，展现出蓬勃生机，进入高速成长期，呈现出三个特点：     

钯卟啉室温燐光氧传感器的研究

以Dowex 5 0× 2 1 0 0树脂为载体固定四 (三甲氨基苯基 )钯卟啉 (Pd TAPP) ,利用其光被氧猝灭的特性 ,采用流动注射分析 (FIA)技术 ,制成氧传感器。该方法响应快 (响应时间从氮气到氧气为 1 8s,反之为86s) ,灵敏度高 (I0 I1 0 0 值为 5 .6) ,检测限可达 0 .0 9% (V V)。     

祝贺《半导体技术》发刊200期

《半导体技术》逢1976年创刊以来，与中国半导体事业同步发展成长。值此《半导体技术》发刊200期之际，中国半导体行业协会谨向编辑部表求由衷的祝贺。《半导体技术》作为半导体行业具有一定影响力的专业媒体，一直紧跟半导体产业的发展趋势和新技术的发展方向，始终秉承为行业服务的宗旨，得到了业内外专家、学者的高度评价。