回顾与展望——纪念晶体管发明四十周年

<正> 一、历史的回顾 1947年12月发明的晶体管,为半导体技术的发展奠定了基础。当今世界的任何发明都不能与四十年代前出现的晶体管相比拟。晶体管的出现使固体电子学乃至整个电子学进入了一个崭新的历史时代。半导体器件无论在体积、重量、耗电、寿命等物理性能方面,还是在成本价格比等经济效果方面都以无与伦比的优点极大地推动了整机的发展。如果没有半导体技术就没有现代化计算机、现代化通信,也就没有现代化信息处理技术,这绝不言过其实。的确,现代化电子技术不能与半导体技术分开,目前任何产业无不渗透半导体技术。半导体工业在国民经济中已构成一个强有力的产业部门,成为衡量一个国家工业发展程度的表征     

半导体器件与集成电路制造中的亚微米技术

本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。     

基于4G信令监测系统的NB-IoT共享单车解决方案

4G核心网已经成为运营商主力网络,已经具备承接NB-IoT业务能力。4G信令监测系统从网络中获取原始信令数据实现基础应用功能,并向第三方系统中的应用系统提供所需的数据。4G信令监测系统提供共享信令数据来源,第三方应用系统通过订阅方式从4G信令监测平台共享数据,向用户提供共享单车业务。     

共轭体系中极性交替现象在有机反应中的应用

电子效应和空间效应是影响有机反应的重要因素,共轭体系中极性交替的特点在共轭二烯与α,β-不饱和醛酮的1,2-加成和1,4-加成反应、苯环上的亲电取代反应等有机反应中表现明显,掌握共轭体系中极性交替的特点对于此类有机反应的学习可以起到事半功倍的效果。     

水杨醛肟修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定钯(Ⅱ)的研究

报道了水杨醛肟化学修饰碳糊（ＳＡＭＣＰ）电极的制备,研究了钯（Ⅱ）在该电极上的阴极溶出伏安特性。在ＰＨ２．６的ＮＨ４Ｃｌ底液中,钯（Ⅱ）在－０．７８Ｖ处有一灵敏的阴极溶出峰,峰电流与钯（Ⅱ）的浓度在４．７＊１０＾－８－２．８＊１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ之间呈良好的线性关系。     

<电动力学简明教程>前言

８０年代在北京大学听课的进修教师很多．有好几位老师曾建议我把电动力学的讲稿整理成书,我却一直对此很犹豫．当时国内已出版了很多种电动力学教材了．由于各校的讲授都是以教育部的部颁大纲为基础的,各种教材的框架很接近,差别是次要的．如是这样,有必要再写一本吗？而现在我终于应北京大学出版社之约,编写了这本《电动力学简明教程》．在正文之前,我很想先与读者交流一下对基础课教学的想法．我从１９６１年开始在北京大学讲授量子力学以来,除“文化大革命”时期中断外,前后已陆续讲了近３０遍基础理论课了．我主要讲授理论力…     

中国半导体封装测试技术与市场研讨会闭幕词

<正>女士们、先生们, 大家好! 第四届中国半导体封装技术与市场研讨会在信息产业部、成都市人民政府的大力支持下,在国内外各大公司和单位的鼎力相助下,26个支持企业、2个特别支持企业以及与会全体专家的共同努力下,大会完成预定     

形式电荷之辨析与应用

从基础的元素化学和化学结构理论入手,系统性地举例辨析形式电荷的若干相关问题,讨论其与真实电荷、化合价、氧化态和电子对之别,并举例在前沿金属配合物等领域的应用。以期对化学基础教学与推广有助。     

InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用

概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。