超星学习通辅助分段考试在高校有机化学课程中的应用

Super-star learning assisted sectionalized examinations were carried out in university organic chemistry course. The passing rate and excellent rate of final examination of organic chemistry course have been effectively improved. This strategy emphasizes the accumulation of knowledge in normal learning which can improve students' active learning ability and teaching quality.     

着力推进IC产品创新提高中国半导体产业竞争力 --在2006年中国半导体市场年会的发言

今天“,2006年中国半导体市场年会”在这里隆重举行,这是中国半导体业界的一次盛会,也是半导体企业与整机企业之间一次难得的交流盛会,在此年会开幕之际,首先请允许我代表中国半导体行业协会,热烈地欢迎各位半导体及整机企业代表以及各位支持关心半导体产业发展的来宾出席此次年会。下面我就中国集成电路产业的发展讲几点看法。一、中国集成电路产业具有旺盛生命力1、2005年产业回顾回顾过去的2005年,面对全球半导体产业发展减速,国内IT产业发展趋缓的整体环境,中国集成电路产业依旧保持了稳定较快增长的势头,全年国内集成电路产业总产量为…     

衍射光谱的演示

光的衍射是中学物理光学教学中最困难的一部分.若缺少很好的实验作教学演示,就不可能使学生们熟练地接受这一课题.为了这个目的,我们介绍衍射光谱的演示. 一般用衍射光栅来得到衍射光谱.通常(特别是设立在边疆地区的一些学校)由于缺少衍射光栅,根本无法演示衍射光谱,即使有衍射     

ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度依赖性研究

ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属"绿色"半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的(Huang-Rhys)因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。     

如何实现电视节日的安全、优质播吐

讨论安全播出的重要性，针对值班人员在播出过程中碰到的问题，包括非人为因素和人为因素引起的播出事故，详细讲述电视台播出部门应该采取哪些有效措施来减少和预防播出事故。同时，介绍龙口电视台播出部在实际工作中的一些经验和看法。     

A Tabu Search Algorithm for Quadratic 0—1 Programming Problem

1.IntroductionThemathematicalmodelofaquaduatico-1programmingproblemisasfollows:MinimizesubjecttwhereI,AsfaraspaperL1'2Jcanseemedel(I)(fordu=O)isveryimPOrtantinthemarshallingofsinglegrouptrainbetweenmarshallingstationsinrailwaynetworkandthemarshallingoftraininnetw0rkwiththetw0types0fvehiclefl0w,butproblem(I)isNP-C.C0nsiderarelax-ationproblemasf0llows:MinimizeIngeneral,solvingrelaxati0nproblemiseasierthansolvingcombinatiorial0ptimalpr0b-lem,thesameaslinearpr0grammingproblemissolvableinPOly…     

巯基功能化有机硅纳米颗粒修饰金电极的制备及对痕量铅的测定

以3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为单一硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)存在下,采用一步简单混合,较方便地制得均匀、小粒径的有机硅纳米颗粒。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)对有机硅纳米进行表征,测得粒径约为2.5 nm。通过自组装法将其固定在金电极表面,得到均匀、高巯基含量的有机硅纳米修饰电极。采用方波溶出伏安法(SWV),考察了CTMAB浓度、Bi3+浓度、支持电解质、pH值富集电位及富集时间等参数对铅溶出信号的影响。结果表明:在0.2 mol/L HAc-NaAc(pH 5.0)缓冲溶液中,-1.0V电位下富集10 min,Pb2+溶出峰电流与浓度分别在5.0～500×10-12mol/L;2.5～250×10-9 mol/L和250～1250×10-9 mol/L范围内呈线性关系,最低检出浓度为5.0×10-12mol/L。利用本方法测定了实际水样中铅的含量,并与原子荧光光谱法进行对比,结果一致。     

关于我国集成电路产业未来发展思考

国内集成电路产业近几年来实现了长足的进步,产业规模迅速扩大,技术水平快速提高,当前正处在成长期,但是无论是与国内发展的需要,或者是与国际先进水平相比都仍然存在着相当大的差距。如何紧紧抓住机遇,应对各种挑战,促使我国集成电路产业又好又快地发展,这是需要认真探讨和思考的问题。这里仅就国内产业现状和国内外集成电路产业发展趋势作一初步分析,以期引发讨论。(一)如何看待国内集成电路产业的发展现状现在IT业界对国内集成电路产业的发展现状有一些不同的看法。我们提出一种看法供大家讨论。这种看法是:一,在规模上,虽然增长迅速,但…     

世界集成电路大发展 中国谋取一片新天地

世界集成电路大发展中国谋取一片新天地电子工业部总工程师俞忠钰一、世界集成电路工业长足大进１９９４年世界半导体销售值首次突破１，０００亿美元，其中集成电路９３０亿美元，比上年增长３１％。当时各界曾预测２０００年世界半导体销售值将达２，０００亿美元，但今...