全文获取类型
收费全文 | 160篇 |
免费 | 9篇 |
国内免费 | 25篇 |
专业分类
化学 | 31篇 |
力学 | 16篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 7篇 |
物理学 | 14篇 |
无线电 | 125篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 7篇 |
2017年 | 1篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 5篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 12篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 10篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 16篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1963年 | 2篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有194条查询结果,搜索用时 0 毫秒
121.
应用型本科“电路”课程的改革与实践 总被引:1,自引:0,他引:1
"电路"课程作为应用型本科电气工程及其自动化的主要专业基础课程,对其教学内容、教学方法、教学手段和实验技能的改革与探索—直是教学的重点,同时在教学改革中又凸显出课时不断压缩与教学内容不减反增的矛盾和如何培养学生的实践能力及创新精神等问题。根据多年对电路课程教学与实践的探索,本文总结了该课程在新时期应如何从偏重传授知识的传统教学模式转向现代教育模式,培养适应高科技发展需要的专业技术人才的一些教学实践和体会。 相似文献
122.
<正> 一、引言 1947年晶体管的诞生开创了电子技术的新纪元。整个五十年代,在半导体材料、器件物理、工艺技术,晶体管电子学等方面进行了系统的,深入的研究。晶体管得到日益广泛的应用,引起了电子学深刻而广泛的变革。在此基础上,1958年集成电路诞生了,近三十年来,集成电路的发展日新月异,使电子技术出现了一个划时代的革命,在世界新技术革命浪潮中,以集成电路为核心的微电子技术是一项最活跃的高技术。人们认为,微电子技术的发展将对社会经济增长和社会发展产生广泛而深远的影响。 相似文献
123.
124.
2003年我国电子信息产品制造业实现销售收入18800亿元,比2002年增长34%,已成为我国工业第一大产业,产业规模位居世界第三。微机、彩电、程控交换机等生产增长加快,去年产量分别达到了3084万台、6000万台、7379万线,同比分别增长83.2%、15%、25.5%。目前,我国程控交换机、 相似文献
125.
在还原剂NaBH4存在下, 采用对氨基苯磺酸重氮盐与氧化石墨(GO)表面共价键合制备磺化石墨烯(GP-SO3H). 傅里叶变换红外光谱(FTIR)证明磺酸基团在石墨烯表面接枝. 采用扫描电子显微镜(SEM)研究了磺化石墨烯的表面形貌. 以磺化石墨烯为添加剂, 制备了磺化石墨烯/活性炭(GP-SO3H/AC)复合电极. 循环伏安及阻抗分析结果表明, 该复合电极的电容特性及导电性有明显改善. 以活性炭电极为对电极组装了不对称电容器(GP-SO3H/AC|AC), 研究了该不对称电容器的电化学脱盐性能. 与对称电容器(AC|AC)相比, 不对称电容器中由于电极内磺酸基团对反离子的屏蔽作用, 电容器的电流效率达到89.4%以上, 脱盐量提高2.4倍, 单个循环脱盐量达到10.87 mg/g. 相似文献
126.
在总会的领导下,在苏州市政府的鼎力支持下,在全体会员单位的积极协助下,第五届全国半导体封装测试发展与市场研讨会,今天在江苏省苏州市隆重召开了.本次会议宗旨是抓住"十一五"计划的有利契机,努力提高封装测试产业的规模,进一步提升封装的技术水平. 相似文献
127.
宽禁带半导体器件的发展 总被引:3,自引:0,他引:3
概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、电子战系统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景。 相似文献
128.
用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。 相似文献
129.
第三届中国半导体行业协会会员代表大会,在我国半导体产业与市场持续快速发展和即将加入WTO的新形势下召开,又适逢人类新千年、新世纪和我国实施第十个五年计划之初,意义十分重大。本届协会将通过自己的工作,努力实现会员利益的最大化,提高协会的凝聚力、影响力和战斗力。为此,特提出本届协会的总体工作构想。 相似文献
130.