塔康信号模拟器的设计

分析了塔康信号的特点,描述了塔康信号产生技术及模拟方法,结合工程实际详细介绍了塔康信号模拟器的设计。     

Ga Al In掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算

计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响。所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021cm–3;Al:2.58×1021cm–3;In:2.53×1021cm–3),明显提高了体系的电导率。同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料。     

功能化石墨烯/活性炭复合电极及不对称电容器脱盐

以3-氨丙基三乙氧基硅烷(AMPTS)修饰氧化石墨(GO)还原合成氨基功能化石墨烯(GP-NH2).傅里叶变换红外(FTIR)光谱和X射线能谱(EDX)分析证明了氨基基团的成功接枝.以GP-NH2为添加剂,制备胺化石墨烯/活性炭(GP-NH2/AC)复合电极,并以GP-NH2/AC为正极,AC电极为对电极,组装不对称电容器(AC||GPNH2/AC)用于电容脱盐.实验表明,AC||GP-NH2/AC单循环脱盐量为7.63 mg·g-1,电流效率达77.6%.利用磺酸重氮盐接枝石墨烯制备磺化石墨烯(GP-SO3H)及磺化石墨烯/活性炭(GP-SO3H/AC)复合电极.并以GPSO3H/AC为负极,GP-NH2/AC为正极,组装不对称电容器(GP-SO3H/AC||GP-NH2/AC)用于电容脱盐,其平均脱盐速率可达0.99 mg·g-1·min-1,比纯AC电极提高了接近5倍.充放电速率提高了30%;而且由于正、负极表面固有电荷的存在,大大降低了反离子效应,电流效率由40%(纯AC||AC对称电容器)提高到92.8%.表明电极内功能化导电石墨烯的存在既提高了导电性,又兼具离子选择性的作用,从而明显改善电极的脱盐性能.     

Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析

由于氮原子在Si(1 1 1)表面成键的失配度最小,因此考虑Si(1 1 1)取向上用不同百分比的氮原子钝化硅表面悬挂键.由第一性原理计算结果显示,当Si(1 1 1)表面层中的氮原子含量为75%—100%时,带隙展宽并且有局域陷阱态产生. 我们提出相应的局域电子态模型,从而解释了Si基氮膜光致荧光(PL)发光增强实验的物理机理. 关键词： 第一性原理计算 氮化Si薄膜 PL发光增强 局域陷阱态     

做大做强我国集成电路设计业

2000年以来,在国务院[2000]18号文件的精神鼓舞下,我国半导体产业坚持"以IC设计业为突破口,以芯片制造业为主体"的战略方针,抓住世界产业转移的机遇,迎难而上,取得了举世瞩目的成绩.     

VLSI栅阵列单元生成系成

本文介绍一个新的ＶＬＳＩＣＭＯＳ电路栅阵列布图系统ＧＭＳ（ＧａｔｅＭａｔｒｉｘｌａｙｏｕｔＳｙｓｔｅｍ），它可以作为单元生成器在ＶＬＳＩ布图中自动产生基本单元。ＧＭＳ的布图过程包括：栅排序、线网分配和版图压缩，在考虑了许多实际约束条件的基础上，ＧＭＳ使用了一个新的栅排序算法，对Ｌｉ［６］算法做了较大改进，ＧＭＳ还把线网分配问题，转化为扩展的一维分配问题，在给出扩展一维分配问题定义的基础上，开发了一个线网分配算法，取得了较好的结果，ＧＭＳ允许用户对布图结果作叠代改进，对布图结果进行了压缩，从而减小了布图面积，ＧＭＳ已在ＭｉｃｒｏＶａｘＩＩ上用Ｃ语言实现，我们测试了许多实例，取得了较好的结果。     

ULSI相移光刻技术＊

相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。     

联合起来发展我国的电子专用设备制造业

<正> 电子专用设备是发展我国电子工业的重要基础。任何一个产业的发展必然要落实到装备上。没有电子专用设备(包括仪器)的发展,我国电子工业的自主建设和发展就会变成一句空话。但同时电子专用设备的研制、开发和生产又是一件十分复杂的事。因此,我们必须把发展我国的电子专用设备制造业作为发展电子工业中的一件大事来抓。     

实现话路数据与有线电视共缆光纤传输

本充义乌城区光缆有线电视网为例，介绍如何实现 路数据与有线电视共缆光纤传输，该网已实际运行一年，性能稳定，该方案简便易行，但玩耍 数字光端机和ＰＣＭ复用器等，有源设备，适宜于终端集群分布的场合。     

MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料

<正>人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(～10000cm~2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,掺杂InAlAs中不存在类似AlGaAs中的DX中心。