p-GaN／Au欧姆接触的研究

本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm~2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小．在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0．034Ω·cm~2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因．     

Co-Mg/Al类水滑石衍生复合氧化物上N2O催化分解的研究

恒定二价与三价阳离子比为3((nCo+nMg)/nAl=3), 采用共沉淀法制备不同Co含量的系列类水滑石前驱物CoxMg3-xAl-HT(x=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3), 经焙烧得到其衍生复合氧化物催化剂CoxMg3-xAlO. 采用XRD、BET、TG-DSC和TPR等表征手段考察了Co含量对材料前驱物及其衍生复合氧化物组成和结构等方面的影响, 研究了系列CoxMg3-xAlO催化剂的催化N2O分解性能; 同时探讨了反应条件, 如N2O浓度、空速、O2和H2O等因素对催化剂活性的影响. 结果表明, 所有前驱物材料均能形成完整的层状水滑石结构；经高温焙烧后形成了以Co-Al尖晶石为主相的复合氧化物, 且Co掺杂有助于尖晶石相的生成； Co含量对材料的热稳定性、比表面、可还原性和催化分解活性有显著的影响；含Co复合氧化物催化材料存在两个还原峰, 还原过程为Co3+→Co2+→Co；Mg有助于提高催化剂的热稳定性；随着Co含量增加, 催化剂比表面下降, 但比表面不是影响催化剂活性的主要因素； 500 ℃焙烧后的Co2.5Mg0.5AlO催化剂具有较好的N2O催化分解活性；提高前驱物的焙烧温度导致催化剂的活性下降；N2O浓度、空速及O2对催化剂活性的影响较小, 而H2O则对催化剂的活性有较大的影响.     

微波GaAs场效应晶体管静电失效的机理及提高其抗静电的…

本文对微波小功率ＧａＡｓ场效应晶体管的静电失效机理进行了分析。文中对两种静电失效模式（电压型强电场失效和功率型大电流失效）分别进行了分析和阐述。针对ＧａＡｓ场效应晶体管的失效机理提出了改进措施。     

硅基量子点的制备及其发光特性

硅基光电子学无疑是今后光电子学发展的方向，这就要求硅基材料能够满足发光器件的要求，从而达到光电集成的目的。因为硅体具有非直接带隙的特点，共发光效率低，所以利用硅基低维量子结构，尤其是量子点结构提高硅基材料的发光性能一直是国内外本领域的一个研究特点。本文对近年来硅基量子点的制备及发光特性研究所取得的进展和结果进行了总结和评述，并对今后的发展提出了看法。     

Mali如何吸引眼球

关于ARM的图形解决方案Mali系列,很长时间以来已经有了各种形式的评说。无论是说它将对未来移动多媒体设备的用户体验产生巨大影响,还是说该图形技术会成为主流应用,都是对ARM公司长期积累的相关技术和Mali未来市场应用的看好。Mali到底是哪里吸引了市场的眼球呢?ARM公司图像处理产品经理Gareth Vaughan的说法可以让我们了解到一些答案。     

派睿电子2007很精彩新一年继续强化分销实力

"多渠道、小批量现货一站式分销商"派睿电子2007年很是出彩。从2007年第三季度的公报来看,派睿集团有很强大的增长,税前利润增加13个点,每股收益增加10个点,并拥有强大的现金流,产品增加到20多万。2007年,在派睿电子国际化的策略上,亚太地区有很大进展。对Hynetic公司的购并意味着派睿在亚太地区第一个办公室的建立。派睿电子     

ADI与RealNetworks合作开发个人媒体播放器关键视频技术

亚德诺半导体公司（Analog Devices）正与RealNetworks公司合作，准备推出最新一代的个人媒体播放器，该播放器具有RealVideo与RealAudio媒体文件的完全DI广播分辨率回放，同样的格式已经用于RealPlayer。RealVideo格式的高效与Blackfin处理器性能的结合将提供高质量的视频回放。ADI已计划推出ADSP—BF54X系列和ADSP—BF52X系列支持PMP，     

应对低功耗需求 奇梦达Mobile RAM抓住商机

奇梦达日前开始提供一种全新的75nm工艺512Mb超低功耗DRAM产品Mobile RAM,为手机、便携式GPS设备、数码相机以及MP3播放器等移动产品的低功耗提供了一种新的选择。奇梦达消费与手机市场高级经理张志贤乐观指出,在手持设备中,随着设备越来     

InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究

通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究In Sb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出In Sb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的铟柱缺失造成.器件相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,缺失缺陷元的响应电压基本为0,其周围最相邻探测单元响应电压相比正常元增加了约25%.器件缺陷元的研究结果,对通过优化探测器制作水平提升其性能具有重要参考意义.