Linear and Nonlinear Intersubband Optical Absorptions and Refractive Index Changes in InGaN Strained Single Quantum Wells： Strong Built-in Electric Field Effects

Considering the strong built-in electric field （BEF） effects due to the spontaneous and piezoelectric polarizations, the intersubband optical absorptions and refractive index changes for an InxGa1-xN/AlyGa1-yN strained single quantum well are studied theoretically within the framework of the density matrix method and effective-mass approximation. The linear, third-order nonlinear and total absorption coefficients and refractive index changes are calculated as a function of the incident optical intensity and photon energy. Our results show that both the incident optical intensity and the strong BEF have great influence on the total absorptions and refractive index cllanges. The results are significant for designing some important photodetectors and the photonic crystal devices with adjustable photonic band structures.     

湿热环境下PbS光导探测器性能及可逆性研究

红外探测器在某些特殊环境的应用对探测器的可靠性提出了新的要求。为研究湿热环境对PbS探测器性能的影响,叙述了PbS薄膜的化学水浴制备方法及PbS薄膜形貌、性能测试及干-湿环境交替试验的过程,阐述了PbS探测器芯片经干-湿热环境试验后暗阻、噪声和D*探测率的变化情况。充分湿热后,PbS的暗阻增大,而充分干燥后,暗阻值又回落。暗阻值随干-湿环境交替变化而变化并具有一定的可逆性。PbS探测器芯片暗阻的这种变化,是因PbS颗粒在湿热环境下吸附H2O等因素产生的电阻R与PbS颗粒的电阻R0构成一个等效的串联电阻,R随着PbS芯片在湿热环境时间的长短或者在干燥环境而变化,形成一种类似于可调节状态的可变电阻。干-湿环境对PbS探测器噪声影响的变化趋势与其对暗阻值影响的变化趋势一致,而对D*探测率影响的变化趋势与之相反。     

基于苯并[b]萘并[1,2-d]噻吩的可见光驱动光环化荧光turn-on型二芳基乙烯的合成与性能研究

可见光驱动光环化的荧光turn-on型二芳基乙烯分子开关是超分辨显微成像的理想材料, 但目前关于该类型分子的报道仍较少. 本工作合成了一种基于苯并[b]萘并[1,2-d]噻吩(BNTP)的405 nm可见光驱动光环化的荧光turn-on型二芳基乙烯分子BNTP-BTTO4, 同时系统研究了该分子的光物理性能与稳定性, 并借助密度泛函理论(DFT)计算厘清了分子实现可见光驱动光环化及荧光turn-on原因. 另外, 本研究发现BNTP引入后分子表现出比参比分子Ph-BTTO4更优异的抗疲劳性、热稳定性和光稳定性, 尤其是在历经200 min 405 nm可见光照射后, BNTP-BTTO4(c)吸收强度只下降4%, 光稳定性大幅提升. 本研究为设计开发性能优异的可见光驱动光环化的荧光turn-on型二芳基乙烯提供了新的思路.     

红外焦平面阵列盲元的电平判别法

红外焦平面阵列中盲元的存在降低了红外图像的质量以及红外系统的性能。在红外焦平面阵列最终性能的测试评价中,盲元的判定主要有响应率判据、噪声判据和电平判据三种。研究着重于第三种盲元判据——电平法的判别原理,结合实际测试结果,分析了该方法存在的不足,提出了改进的电平判别盲元的标准。采用改进的同心圆电平判别方法后,提高了盲元判别的一致性,减少了盲元的漏判与误判。然后根据电平法判别盲元的原理,提出了基于输出波形和灰度图的盲元判定方法。与红外焦平面阵列专用测试系统对比的结果表明,这两种方法对焦平面阵列盲元判别的准确率分别达到了90%和82%,为红外焦平面阵列提供了两种直观、快捷、简便的盲元判定途径。     

非制冷IRFPA像元结构与时空随机噪声的优化理论（英文）

非制冷红外焦平面探测器(Uncooled IRFPA)像元结构从单层结构向双层结构的发展降低了探测器噪声,提升了性能。介绍了像元的MEMS结构及主要物理参数,指出双层结构与单层结构的主要差异在于像元有效面积和桥臂热导的不同。三维噪声模型是对IRFPA噪声进行分析的有效手段,其中时空随机噪声是非制冷IRFPA最主要的噪声成份。分析了非制冷IRFPA时空随机噪声的产生机理,建立了时空随机噪声模型,得到时空随机噪声与像元有效面积和桥臂热导的关系。将某款单层像元结构探测器改进为双层像元结构并进行噪声测试,实测数据证明了非制冷IRFPA时空随机噪声模型的有效性。     

Flexis JM控制器实现8～32位设计USB连接

随着USB广泛应用于PC外设、记忆棒以及工业设备等中,如何帮助设计人员轻松地将USB连接融入到各种应用中成为飞思卡尔关注的问题。飞思卡尔亚太区微控制器解决方案市场经理何英伟指出,基于Flexis JM系列MCU     

安捷伦示波器再上台阶

安捷伦科技近期在示波器领域又上一层楼,推出10种最新型号的新一代Infinii Vision 7000系列示波器和新型Infiniium 90000A系列示波器。Infinii Vision 7000系列的最新产品具有1 GHz的带宽和高达100000波形/秒的深存储器波形更新速率,比其他示波器快了5000倍。每     

微波GaAs场效应晶体管静电失效的机理及提高其抗静电的措施

本文对微波小功率GaAs场效应晶体管的静电失效机理进行了分析.文中对两种静电失效模式(电压型强电场失效和功率型大电流失效)分别进行了分析和阐述.针对GaAs场效应晶体管的失效机理提出了改进措施.     

Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品中深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为ＥＣ－０．２２ｅＶ．并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失观测到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ．在Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格中,深中心Ｈ１的能级位置为ＥＶ＋０．４４ｅＶ,深中心Ｈ２的能级位置为ＥＶ＋０．２４ｅＶ     

高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

制备了高Al组分AlxGal-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化.计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度.退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689 eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2.