有限空间中经典场的正则量子化

从离散的角度研究带边界的1+1维经典标量场和Dirac场的正则量子化问题. 与以往不同的是, 这里将时间和空间两个变量同时进行变步长的离散, 应用变步长离散的变分原理, 得到离散形式的运动方程、边界条件和能量守恒的表达式. 然后, 根据Dirac理论, 将边界条件当作初级约束, 将边界条件和内在约束统一处理. 研究表明, 采用此方法, 不仅在每个离散的时空格点上能够建立起Dirac括号, 从而可以完成该模型的正则量子化;而且, 该方法还保持了离散情况下的能量守恒.     

Abel Chern-Simons项与复标量场耦合系统的正则量子化

应用Faddeev-Jackiw方法对Abel Chern-Simons项与复标量场耦合系统进行正则量子化,它表明用这种方法进行量子化更加直接和优美.     

1.55μm拉通型Ge-APD

1.引言Ge是间接跃迁型半导体。如图1所示,在吸收端附近,存在着直接跃迁型半导体所没有的缓慢拖尾现象。另一方面,在吸收端附近,迄今所报导锗的吸收系数是不尽一致的。例如,在λ～1.55μm波长下,吸收系数为2×10~2-6×10~2cm~(-1)。根据这个理由,在吸收端附近,Ge的有实用价值的波长敏感区直到现在尚不能确定。     

旁瓣对消器中信号处理方式的综合研究

对于天线中旁瓣对消器的信号处理方式,本文试用了基于统计估计理论的学习鉴别、概率近似、最佳线性预测等最小均方误差的序贯估计算法,并与过去使用的维得罗算法进行了比较。通过模拟得到的结果是,在单一干扰波时采用概率近似和最佳线性预测算法,在多重干扰波时来用最佳线性预测算法,在收敛速度、干扰波功率的动态范围、干扰波抑制特性等方面,都具有较之维得罗算法更为优良的性能。     

ECPS2和ECPS3中的加密也是不安全的

本文讨论了基于纠错码的公钥体制ＰＥＰＳ２和ＥＣＰＳ３中加密过程的安全性，指出可以在Ｏ（ｎ＾３）时间内由体制的公开钥信息找到一个转换矩阵，用它也可以解密由秘密置换阵加密的消息，其中ｎ为稳定置换阵的行（列）数，进而，本文给出了用所找到的置换阵破译ＥＣＰＳ２加密和ＥＣＰＳ３部分情况下加密的方法。     

噪声为Rice密度时的两级非参量条件检测器的性能

本文描述了一种两级四电平条件检测器,该检测器是一种恒虚警率检测器。文中把它的性能与单级(固定样本量)四电平条件检测器的性能作了比较。在有限取样比较中,假定噪声具有Rice概率密度函数,它是背景噪声为高斯白噪声时的雷达接收机包络检波器输出端的概率密度函数。在作渐近比较时,定义了渐近相对效率并给出它的计算表达式。有限和渐近结果都表明,在无信号情况下,平均样本量可明显减小。因此,所述的两级检测器适用于无信号假设具有高先验概率情形下的信号检测。     

原苏联高等数学教学改革的近况

<正> 近年来,哈尔滨工业大学数学系同乌克兰基辅工业大学应用数学系、高等数学教研室等单位建立了友好合作关系,多次派学者互访,进行学术与教学交流,了解到一些原苏联高等数学的教学改革情况,我们感到这些情况对于我们当前的高等数学的教学改革是有一定参考价值,所以我们想在本文中结合原苏联高等数学     

结合对苏联教材的分析,谈谈我国高等工科院校专业数学教材改革的意见

<正> 最近,我们翻译了一本1981年出版的苏联教材《高等数学(专业数学部分)》(以下简称教材》)即将由哈尔滨工业大学出版社出版。这是一本很有特色的教材,下面仅就对《教材》的粗浅分析,谈谈我国高等工科院校数学教改的几点意见。     

Band structures, defect mode and field propagation characteristics in one-dimensional photonic crystals composed of single-negative materials

By using the transfer matrix, the band structures, defect mode and field propagation characteristics of one-dimensional photonic crystals composed of single-negative （SNG） material are studied. It is shown that this structure possesses a new type of photonic gap which is insensitive to the incident angle and the light polarizations, as well the change of scale length. When a normal dielectric defect layer is inserted, the defect mode is insensitive to the angle of incidence, but the electromagnetic field in the defect layer is strongly localized, and the number of the defect modes increases with the thickness of the defect layer.