基于ADL5385发射电路设计与实现

通过分析目前广泛应用的RFID阅读器的性能,提出了一种可调多频段RFID阅读器发射电路的实现方法。首先利用ADF4351的锁相环和倍频器特性来产生宽频带频率源,对于锁相环电路,运用ADIsim PLL软件进行仿真;然后分析和探讨了ADL5385上变频的基本原理及工作特性,利用其特性同时借助于数字衰减器和低噪放芯片实现输出功率可调;最后通过对硬件电路的调试和编写相关上位机及单片机控制程序,实现了功率可调、多频段的RFID阅读器的发射电路。     

基于FPGA的宽带双波段信号捕获与恢复技术

在结合混合滤波器组和宽带双波段信号特性下,提出了基于FPGA的宽带双波段信号捕获与恢复的设计方法,解决了单片ADC采样带宽不足的问题,并提高了采集信号的无杂散动态范围。采用三载波WCDMA信号作为低频段和高频段的测试信号,通过FPGA硬件平台上进行了实验验证。实验结果表明:一方面,当单片ADC采样带宽大于双波段信号带宽时,采用2-D技术得到的信号无杂散动态范围优于单片ADC采样得到的;另一方面,本设计方案可以扩展双波段信号的采集带宽。     

无铅无铋高性能压电陶瓷

本文分析了铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷的原因,采用适合工业生产的传统电子陶瓷工艺,制备出压电性能和居里温度都高的(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)xNb1-xO3.其中(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)0.052Nb0.948O3压电常数d33=286pC/N,平面机电耦合系数kp＞=0.51,损耗tan居里温度c=385℃.这些参数表明,该压电陶瓷具有很好的应用前景.     

一种新型毫米波微带均衡器的设计与实现

分析了平面回音壁模介质谐振器的特点及其与微带线耦合产生均衡的原理,并在此基础上给出了一种新型的毫米波均衡器子结构.仿真分析证明,这种结构具有良好的Q值和耦合度可调性.最后,用此子结构级联设计出新型毫米波均衡器,并且呈现良好的特性.     

罗丹明B的飞秒双光子荧光显微成像研究

利用宽带飞秒振荡器作为激发光源搭建了双光子荧光显微成像系统,在飞秒脉冲的宽带激发下,测量了罗丹明B溶液的双光子荧光光谱,开展了罗丹明B固体样品的双光子荧光显微成像研究。在双光子荧光显微成像研究中,通过调节激发脉冲的功率,分析了双光子荧光强度和激发脉冲功率之间的关系,并且利用半波片改变线偏振激发光场的偏振方向,研究了双光子荧光强度随激发脉冲偏振方向的变化趋势,实现了双光子荧光强度的类正弦调制。     

湍动雾化射流液雾粒径分布的数值模拟

对水在空气中湍动雾化射流的气液两相流场进行了数值模拟.其中,气体流场采用k-ε湍流模型进行模拟,给出了载气轴向速度的分布情况.对喷雾粒子的运动采用颗粒轨道法,建立粒子破碎和碰撞的数值模型,研究了液雾粒径在不同工况下沿轴向的变化趋势.数值模拟结果与实验结果在多种气液比下进行了比较,两者吻合较好.同时,分析了初始粒径和粒子总数及喷嘴尺寸对液雾粒径变化趋势的影响,讨论了有助于粒径均匀分布的条件.     

大孔径变焦投影镜头设计

为了实现某一大孔径定焦投影镜头作为初始结构, 经过优化设计后成为大孔径变焦投影镜头, 根据设计目标的DMD对角线尺寸, 利用AUTOCAD对选择的定焦距系统的初始结构尺寸进行测绘, 初步选择各镜材料, 规划成5组元变焦系统, 利用各种操作数对镜头的基本参数和外形尺寸进行限制, 并合理利用2个非球面, 在光学设计软件Zemax与CODE V中往返优化, 得到一款在可见光波段内, 短焦距为14.61 mm、视场角为60°、F数为1.5, 长焦距为29.31 mm、视场角为30°、F数为1.6的变焦投影镜头。设计结果表明:各视场的传递函数(MTF)值在截至频率60 lp/mm处不低于0.46, 各焦距处的弥散角不超出1.6', 镜头具有良好的像质。该镜头系统由11块透镜和1块平行平板组成, 其中透镜2使用了非球面镜, 该镜头片数较少, 透镜折射率不高, 材料容易选择。     

相变与临界乳光现象

分别采用白炽聚光灯和氦氖激光器照射,观察六氟化硫在临界点附近的临界乳光现象.     

基于PIC方法的二维束流动力学模拟程序及其初步应用

为了深入研究强流负氢束在强流质子回旋加速器CYCIAE-100轴向注入线中的传输, 利用split-operator方法分解外场和束流自身的空间电荷场的作用. 对外 场利用单粒子跟踪技术, 采用一阶线性近似; 对空间电荷场采用PIC方法, 利用 快速傅里叶变换求解Poisson方程. 用FORTRAN95语言开发了一个基于面向对象技术的二维宏粒子传输计算程序CYCPIC2D, 本程序可以计算任意分布的强流束在输运线上的传输.最后给出了对CYCIAE-100注入线的模拟计算结果, 并和程序ORBIT, TRACE 3-D的结果进行比对验证, 结果表明: 空间电荷效应在此注入线上有较大的影响, 而且3个程序计算的不同中性化的结果基本上一致; 束流强度达到几十毫安时, 基于PIC方法的两个程序CYCPIC2D和ORBIT的计算结果完全吻合, 而线性近似程序TRACE 3-D有明显差异.     

电致发光显示究研动向

继粉末电致发光(注:以下电致发光均略写为EL)显示器件之后,1968年美国贝尔研究所研制出不同发光机理的高亮度薄膜EL器件,引起了广泛的注意。这种器件,是在ZnS中掺进希土类氟化物分子(TbF_3)作为发光中心,亮度达到数百尺朗伯(fL)。接着,美国Sigmatron公司又研制成硫化锌掺锰的三层薄膜EL器件,发光层背面镶有As_2S_3黑色绝缘层,提高了屏的反差。日本霞浦公司于1973年,研制成将ZnS发光层夹在Y_2O_3和Si_3N_4绝缘层间的对称型薄膜EL器件,亮度达1,500fL,