SU(2)规范场的一系列“无源”解——静点磁荷系的SU(2)势及U(1)势

场与源这一对矛盾双方如何对立与统一是经典电磁场及引力场理论中议论纷云的一个根本问题.非Abel规范场的静无源解(应该说是无外源,但以场自身为源)提供了一个不含奇异点的、场与源互相制约构成自洽稳定的有机统一体的一个值得注意的例子(孤粒子).现有的这种解都是在无外源(实际上以场的奇异点——磁荷为源)的吴杨单位磁荷解([4]的情况a)的基础上加上径向“形状因子”得到的,因此只限于总磁荷为单位值(本文取Schwinger量子化值为磁荷单位)的静同步球对称情况.为了弄清楚更一般     

一种新的FDTD入射场设置方法

本文提出了一种新的入射场设置方法.采用一维FDTD算法来模拟入射波.所得结果与通常的入射场解析表达式的结果比较表明,采用一维FDTD算法引入的入射波在总场区分布均匀,在散射场区泄漏小.     

在镍和溴化十六烷基三甲铵微乳液作用下二安替比林对溴苯基甲烷与锰(Ⅳ)的显色反应

１　引　言锰是人体生命活动中极为重要的微量元素，锰的摄入主要通过食物，因而准确测定食品中锰的含量具有重要意义。锰的测定常用高锰酸盐光度法，该法灵敏度较低。二安替比林苯基甲烷类试剂与锰（Ⅶ）的显色反应具有很高灵敏度，但稳定性和选择性不太好。为了提高该类型显色剂与锰显色反应的选择性，我们研究了在碱性介质中空气氧化锰（Ⅱ）为锰（Ⅳ）后，在镍和溴化十六烷基三甲铵（ＣＴＭＡＢ）微乳液协同作用下，锰（Ⅳ）与二安替比林对溴苯基甲烷（ＤＡｐＢＭ）的显色反应。体系选择性比ＤＡｐＢＭ与锰（Ⅶ）的显色反应有改善，方法…     

各级微扰展开下自发破缺的规范无关性、么正性及可重整性

用微扰论展开明显地讨论了标粒子与规范场矢粒子自发破缺Abel模型,发现在各种可重整规范下同阶各费曼图的内线非物理分量贡献的规范有关部分只与外线的质壳外部分互相依存。在质壳上只剩下物理分量的贡献,亦即转化成了么正规范。这样就明显地验证了么正规范与可重整规范在质壳上的全同,从而说明可重整规范是么正的,以及么正规范下怎样会出现剩余发散,为何剩余发散必然相消,揭穿了么正规范的隐藏可重整性。     

聚己内醯胺的端基滴定

聚已内醯胺的端基滴定测定分子量,可以用同一溶剂[苯甲醇,甲醇-水(2:1)混合溶剂],在同一温度(室温)时用電導、電位或指示剂法分别先後进行氨基和羧基的滴定。滴定剂用标准盐酸和氢氧化鉀的甲醇-水溶液(约0.03N),電導法及電位法滴定羧基時另加甲醛抑制氨基,所得滴定曲线良好。指示剂法的终點均清晰。三法分别自氨基或羧基测得的聚合物数均分子量相互一致。确立了用这三种方法进行端基滴定的可靠性。但是同一试样自氨基测得的分子量,一般均高於自羧基测得的分子量。     

局部坐标系中的旋量球函数及算子

本文给出了各种表象的旋量球函数在局部坐标系中的表达式及其与固定坐标式的联系,并用此式讨论了光子、电子、双光子系波函数的各种性质。利用梯度算子及无穷小转动算子在局部系中的联系将旋量方程分离变量,得到了梯度公式。最后在局部系中探讨了散射问题,计算了γ跃迁的角向积分。 关键词：     

釆用等离子体化学汽相淀积工艺制作氮化硅薄膜

近来,由于微细加工技术的进展,半导体器件的高集成化正迅速发展,每块芯片内集成的门数不断增加,并实现了短沟道化。这样,提高半导体器件的可靠性则日益成为重要课题。特别是塑料封装是降低成本的重要手段,因此必须提高处理芯片过程中的钝化技术。 到目前为止,集成电路的最终钝化膜主要采用化学汽相淀积磷硅玻璃。这对防止离子沾污来说,确实具有特别良好的钝化作用,但由于这种钝化膜中有一定浓度     

从无线寻呼看部分电信业务放开经营

叙述了部分电信业务放开经营，引入了竞争机制，促进了通信事业的发展，繁荣了无线寻呼通信市场，利国利民。同时必须加强通信行业管理，进行宏观调控，规范电信业务市场，实行经营许可制度，依法行政、依法监督。在邮电通信企业和其他经营通信业务的企业之间，要制造公平竞争环境，要站在国家利益公正合理处理其间的关系，使行业管理与服务融为一体，培育健康的通信市场。（ｅｄ）     

流动系统中的热阻力和热绕流现象(Ⅰ)

本文通过对守恒方程组在某些简化条件下的分析解和数值解,讨论了流动系统中的热阻力现象的物理机制,定义了热阻力系数和无因次加热准则数,并建立了它们之间的分析关系式,便于工程应用。在分析二维热阻力问题的基础上,提出和讨论了流动系统中的热绕流现象及其工程应用背景。     

SIT、MOS兼容型工艺和运算LSI

在IC,LSI高速器件的领域里曾经是双极型LSI独占的场所,到1970年代后半期,随着微细加工技术的发展,具有高集成度特点的MOSLSI在这个高速领域里也抬头了。然而,微细化技术的进步,双极型LSI也正在稳健地提高。即用电子束曝光和缩小投影曝光方式,即使对于包含外延工序的大直径硅片也能保持高的精度,连同干法刻蚀技术,双极型LSI的性能正在迅速地发展。