金刚石中氦、氢含量的变化及在金刚石生长中的意义

天然金刚石自中心至边缘的显微傅里叶变换红外光谱研究表明:氮和氢在金刚石中的分布是不均匀的,这说明金刚石在整个生长过程中的物质环境是有差异的;中心至边缘的含氮总量、C-H键含量的总体降低趋势表明金刚石的生长过程是一个氮、氢的消耗过程,而中部的升高变化说明金刚石生长环境中存在氮、氢的补充,但氮补充得比氢更早一些.据此,可以将金刚石的生长过程划分为早期成核与长大、中期长大及末期长大三个阶段,其中早期和末期是氮和氢的消耗阶段,中期需要进行氮和氢的补充,且氮应该更早补充.氢对金刚石的生长是有利的,氢和氮不是以氮氢化合物的形式存在于金刚石生长的物质环境中,这暗示着在高温高压合成金刚石中欲引入氢,应当避免氮氢化合物的形成.     

一种用于冶金炉前快速分析的新仪器——激光诱导击穿光谱仪

冶金炼钢要求快速分析冶金炉前样品来及时掌握冶炼过程。文章介绍了自主研制的一种新型的光谱仪——激光诱导击穿光谱仪,该仪器采用ns级脉宽的Nd∶YAG激光器作为样品离子化光源,激光聚焦样品表面激发产生的等离子体光谱依次经帕邢-龙格光学系统进行分光、光电倍增管探测、门控积分器积分、模拟数字转换器转换后获得的最终结果输入计算机进行数据处理。和目前冶金炉前样品分析常用的光谱仪相比,该仪器无需样品预处理,分析速度快(1 min或更少),准确灵敏度高,非常适用于冶金炉前样品的快速分析。近年来随着光纤技术的迅速发展,使用该仪器进行钢液实时在线分析和动态控制冶金工艺必将成为现实。     

《网管员世界》“故障诊断”栏目征稿启事

为了能够给网管员朋友提供更加丰富的内容，现征集以下稿件：1．企业网络基础建设与维护中的遇到挫折及解决方法。     

Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy

This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire （0001） substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature （HT） A1N layer and a low-temperature （LT） A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer.     

收看世界杯——亚太地区卫视体育频道列表

卫星频道名称下(M行H频z率)极化符(kb码p率s)SuperSpoetl1(超级体育1台)3716V20600SS4(超级体育4台)3744V20600SuperSport2(超级体育2台)SuperSport3(超级体育3台)SuperSpart6(超级体育6台)SuperSpart5(超级体育5台)泰星2/3号(78.5°E)12438H25776ESPN、卫视体育12562H25776UBC足球中卫1号(87.5°E)劲爆体育4100V27500马星1号(91.5°E)StarSport(卫视体育台)11044V30000ESPN11168V30000亚洲2号(100.5°E)EUR O SPO RT N EW S(欧洲体育新闻)3960H27500R ealM adrid(皇家马德里足球频道)亚洲3S(105.5°E)EU RO SPO …     

基于优化BP神经网络的PID控制研究与仿真

PID控制要取得较好的控制效果．就必须通过调整好比例、积分和微分三种控制作用，形成控制量中既相互配合又相互制约的关系。优化BP神经网络是一种前向神经元网络，具有学习速率快、振荡小、精度高的优点，将其隐含层单元分别作为比例（P）、积分（I）、微分（D）单元。可以建立参数自学习的PID控制器。仿真结果表明基于优化BP神经网络的PID控制器具有较好的自学习和自适应性。     

基于高速DSP的跳频通信系统设计

文章研究了跳频通信的实现方法,提出了一种基于高速DSP的跳频通信系统的硬件实现方案,详细给出了跳频控制模块的硬件设计、跳频同步方法、伪码的产生和部分电路设计。该系统可应用于短波和超短波跳频通信装备。     

“天光一号”平滑化角多路系统的建立

 采用诱导空间非相干（FEISI）的平滑方法结合传递傅里叶面的技术，建立了一套平滑化六束角多路系统。该系统输出总能量158 J，能量稳定度约4％，输出脉冲宽度25 ns，靶面有效焦斑直径400 μm，焦斑均匀性1.6％，激光功率密度3.7×10¹² W/cm²。     

微型瓷件的研制

——本文简述了微型瓷件制造工艺.着重介绍了一模多铸、碳黑排蜡、快速堆烧等工艺.研制的微型瓷件具有尺寸公差小,晶粒失长发育良好、陶瓷-金属封接强度高等优点.     

用于白光LED的单一基质白光荧光粉Ca2SiO3Cl2:Eu2+，Mn2+的发光性质

用高温固相法合成了Eu²⁺，Mn²⁺共激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度白色发光材料，并对其发光性质进行了研究. 该荧光粉在近紫外光激发下发出强的白色荧光，Eu^{2+中心形成峰值为419 nm和498 nm的特征宽带，通过Eu2+中心向Mn2+中心的能量传递导致了峰值为578 nm的发射，三个谱带叠加从而在单一基质中得到了白光. 激发光谱均分布在250—415 nm的波长范围，红绿蓝三个发射带的激发谱峰值分别位于385 nm，412 nm，370 nm和396 nm处，可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发. Ca₂SiO₃Cl₂:Eu2+，Mn2+是一种很有前途的单一基质白光LED荧光粉.}