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11.
随着我国卫星通信事业的蓬勃发展 ,太空中不断有转播电视节目的卫星增加。各有线电视台为了增加更多、更丰富的电视节目 ,传统的方法是用 1座地面卫星天线接收 1颗卫星转播的电视节目 ,而目前卫星电视的转播又以C波段为主 ,使得各有线电视台需要使用 3m以上的大型天线 ,这样势必要增加费用 ,同时对于很多有线台来说选择合适的位置安装天线也不是件容易的事。如果能用 1座天线同时接收多颗卫星的节目 ,以上问题也就随之解决。卫星天线的作用是将卫星转发的微弱的电磁波信号经抛物面天线反射聚到焦点处 ,经馈源进入高频头变频输出。目前市场…  相似文献   
12.
三相异步电动机由于缺相损坏的比例在工业企业中的所占约80%以上,而三相电压严重不平衡造成断相、严重过热而损坏的电机也占相当比例,本文初步探讨了负序电压系数与零序电压的关系,并介绍了缺相与定子电压不对称的保护方案。  相似文献   
13.
黎奇升  佟文廷 《数学进展》2004,33(2):236-242
本文证明了:(1)Exchange环R的K0群的正向凸子群格同构于R的稳定余有限半本原理想格;(2)稳定有限、半本原的exchange环R是单的当且仅当它是K0-单的并且满足逼近弱s^*—可比性,推广了Goodearl,Ara等人的结果。  相似文献   
14.
The possible defect models of Y^3+:PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3+ ions are studied by using the general utility lattice program (GULP). The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3+ :PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^+ + VPb^2-], and in the heavily doped Y^3+ :PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^+, forming defect clusters of [2Ypb^+ +Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3+ :PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal.  相似文献   
15.
一种LCD驱动控制芯片设计研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文以液晶显示(LCD)控制驱动芯片为例,详细介绍了ASIC设计的流程,首先用TOP-DOWN方式对芯片系统进行整体功能划分,再以BOTTOM-UP方式进行原理图输入,最后进行芯片的功能,性能等各项模拟,并提交设计所需的网表和测试文档.  相似文献   
16.
在目前的有线电视网中,特别是以电缆为主的网络中,有线电视干线放大器的正确选用不仅可保证传送信号的质量,而且可使干线的性价比最高.  相似文献   
17.
移动通信事业的大力发展,必然促进以数据仓库为基础的决策支持系统的发展。本文论述了移动通信运营公司建立数据仓库的必要性和实现方式,并理清了信息系统和数据仓库的关系,最后指出了移动通信运营公司建立数据仓库需要注意的问题和后期的深入开发工作。  相似文献   
18.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能. 关键词: 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡  相似文献   
19.
利用2~8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系.  相似文献   
20.
本文研究了单次碰撞条件下Ba(~3D)+N_2O→BaO~*+N_2反应的动态学特性。由束气实验测出这个反应的化学发光截面是42.2±1.4(?)~2,总碰撞截面是142±11(?)~2。由化学发光光谱分析出反应产物中存在着BaOD~1∑~+→A~1∑~+→X~1∑~+二次电子跃迁过程。通过交叉分子束实验,研究化学发光截面与反应物振动能、碰撞能的关系。结果表明,这个反应的势能面不存在阈能垒,振动能对化学发光截面影响不大,而平动能的增加会使化学发光截面减小。本文采用信息论方法,计算产物态的分支比,并和实验结果进行对比分析。  相似文献   
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