栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析

通过数值模拟手段 ,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对 R- G电流大小的影响规律 .结果表明 :无论在 FD还是在 PD SOI MOS器件中 ,界面陷阱密度是决定 R- G电流峰值的主要因素 ,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异 .为了精确地用 R- G电流峰值确定界面陷阱的大小 ,器件参数的影响也必须包括在模型之中     

0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析

针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。     

O.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析

针对实验中发现的亚微米ＬＤＤ结构的特殊的衬底电流现象和退化现象，进行了二维器件数值模拟，解释了ＬＤＤ器件退化的原因，最后提出了ＬＤＤ器件的优化工艺条件。     

亚微米自对准硅化钛CMOS工艺

本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。     

亚微米光刻与刻蚀工作研究

采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。     

三层胶工艺研究及其在IC‘s中的应用

在现有国产光刻设备的基础上,研制成功了能够复印出亚微米图形的三层胶工艺,并用于制作亚微米电路。     

亚微米CMOS阈值电压控制研究

由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍显示出良好的效果。     

栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析

通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律.结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异.为了精确地用R-G电流峰值确定界面陷阱的大小,器件参数的影响也必须包括在模型之中.