亚微米光刻与刻蚀工艺研究

采用三层胶光刻工艺及以ＳＦ＿６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工艺，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。     

采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压

采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps.     

浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用

采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N~+/P结和0.17μm P~+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。     

0.8μm LDD CMOS RELIABILITY EXPERIMENTS AND ANALYSIS

The numerical simulation of two dimensional device is conducted to describe the mechanism of the special substrate current and degradation of submicron LDD structure observed in experiments, and finally, the optimum processes for submicron LDD CMOS are proposed.     

0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析

针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。     

侧墙工艺研究及其在集成电路中的应用

本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。