用地面阵列寻找TeV能区γ点源的方法探讨

文中探讨搜寻TeV能区γ点源的方法.讨论利用student变量t判断来自源区及背景区宇宙线事例的统计差别,并由Bayes定理与MonteCarlo模拟相结合计算源区各能段的信号数,推算蟹状星云在TeV能区的γ射线微分能谱     

High repetition rate TEA CO_2 laser with randomly coded wavelength selection

High repetition rate transversely exited atmospheric pressure (TEA) CO2 laser with randomly coded wavelength selection is suggested. The laser wavelength is tuned by a Fabry-Perot (F-P) etalon of low fineness, whose space interval is controlled by a piezoelectric transducer (PZT). A digital controlled programmable voltage source is introduced to vary the voltage applied on PZT so as to swiftly shift the laser output wavelength pulse by pulse. Detailed theoretical analysis is carried out by six-temperature mode rate equations.     

一种基于不同风险偏好投资多目标决策模型及解法

建立了风险投资的多目标决策模型，分别采用线性加权法、TOPSIS法和密切值法，对不同风险偏好下备选方案进行排序，再用平均值法对上述排序进行综合排序，从而避免单一方法的片面性，较为全面科学地得出最优方案。最后，用一个算例说明了方法的可行性和有效性。     

真空中氧化铝陶瓷沿面耐压试验

真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约，在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下，绝缘子就出现了击穿现象，即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验，对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较，并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。     

日本关西宽带实验网印象

本文根据实地考察内容，结合宽带网络技术和业务重点及实施策略，全面介绍了日本关西宽带实验网发展背景，通信与广播电视综合应用实验和Ｂ－ＩＳＤＮ实用化实验的进展以及ＮＴＴ所起作用。文章最后就关西宽带实验网的借鉴意义提出了几方面意见。     

多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。     

稀布阵综合脉冲孔径雷达旁瓣对消性能分析

定量分析了阵列孔径、干扰信号带宽、通道幅相误差以及Ａ／Ｄ变换器的量化噪声对大型稀布圆形阵列天线干扰对消效果的影响，介绍了稀布阵综合脉冲孔径雷达（ＳＩＡＲ）采用抽头延迟线以提高干扰对消性能的方法，并给出了数值计算与计算机模拟结果。     

t—BuNO二聚体在不同溶剂中裂解机理的研究

本文利用＾１ＨＮＭＲ，ＵＶ－Ｖｉｓ方法，研究了ｔ－ＢｕＮＯ二聚体在有机溶剂及水溶液中的裂解反应产物，分析了其反应的动力学，提出了在非极性的有机相中ｔ－ＢｕＮＯ二聚体为均裂反应，而在极性的水相中为均裂和异裂同时进行的竞争反应。