NGN的生产背景及特点

１．网络优化的驱动传统的交换网络是一个封闭式的网络,一直处于网络运营商排他性的控制之下,它的交换功能、呼叫控制以及业务逻辑都在交换机上实现,造成新业务的开发、升级维护都极其不方便,一旦要有所改动,就需涉     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

稀布阵综合脉冲孔径雷达时域与频域脉冲综合方法

在宽带信号模型基础上介绍了稀布阵综合脉冲孔径雷达的时域，频域和时频域三种脉冲综合方法，并从工程实现角度进行了比较，同时对脉冲综合过程中的采样损失及其补偿问题作了讨论。     

Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn的制备及热电性能

采用固相反应法合成了单相的Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn(x=0·00—0·15),并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料.研究了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律.结果表明:少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化,显著地降低了体系的热导率κ,同时显著地提高了体系的Seebeck系数α.组成为Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_(0.15)NiSn的试样室温热导率为3·72W·m-1K-1,在700K时ZT值达到最大为0·56.与三元TiNiSn相比,在相同温度下ZT值的提高率为190%—310%.     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖     

应用功率倍频器的毫米波发射机

引言在过去的十年里,工作于毫米波频率的固态半导体器件的发展,取代了1～50W 范围内的电子管。这些器件可靠性高、价格低、工作电压低,而且体积小、重量轻。本文的中心是关于在30～100GHz 的频率范围内产生功率的方法。在这个频率范围内,如果功率高于50W 的活,那么,就必须选择功率电子管。图1是连续波功率随频率变化的曲线图,它分成三个部分。直到最近,在毫米波频率上获得功率的方法才被限定在基频上的产生和     

一类含时滞的反应扩散方程的周期解和概周期解

本文研究一类含时滞的反应扩散方程和方程组.应用单调方法得到了这类方程存在周期解和概周期解一些充分条件.     

荧荧烛光寄哀思听唱片《美国安魂曲》

最近,收到一张拿索斯寄来的美国R R(Reference Recording)公司的唱片:《美国安魂曲》(An AmericanRequiem)。唱片封套蓝色的背景上是几只光焰摇曳的蜡烛,传达出一种深切而动人的哀思。《美国安魂曲》?印象中好像从没有听说过这曲     

DDS+PLL系统的频谱分析

简要介绍了 ＤＤＳ＋ＰＬＬ频率合成的原理，分析了在 ＤＤＳ没有相位截断误差时，ＤＤＳ＋ＰＬＬ输出信号的杂散抑制度，并讨论了杂散抑制度与环路参数的关系。