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以Ca-Si-Al-O玻璃为主要原料,通过添加Eu_2O_3,采用碳热还原氮化法合成出Ca-α-Si Al ON∶Eu荧光粉体。借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等手段,对合成Ca-α-Si Al ON∶Eu的物相组成、显微结构及发光性能进行表征。结果表明:(1)以Ca O,Al_2O_3,Si O_2为原料,合成的Ca-SiAl-O非晶玻璃具有Si O4四面体与Al O4四面体相互连接的架状结构;(2)以Ca-Si-Al-O玻璃为主要原料,通过添加Eu_2O_3,在1450℃碳热还原氮化合成出呈棱柱状形貌的Ca-α-Si Al ON粉体,其中Eu离子在Ca-α-Si Al ON中实现了良好的固溶;(3)合成的Ca-α-Si Al ON∶Eu在紫外-可见光部分具有较强的吸收,在420 nm的激发下,发射光谱的峰值波长为~570 nm,实现了黄绿光发射,归属于Eu~(2+)的4f~65d-4f~7跃迁。 相似文献
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SiO2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了低温烧结时SiO2掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)压电陶瓷性能的影响,通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3 w(SiO2)(w=0.05%~0.30%,质量分数)陶瓷的相组成和显微结构。结果表明,合成温度900℃时,可得到钙钛矿结构。w(SiO2)不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存,随着w(SiO2)的增加,三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w(SiO2)=0.10%时,得到电性能优良的压电陶瓷,相对介电常数3Tε3/0ε=1 290,介质损耗tanδ=0.4%,压电常数d33=264 pC/N,机电耦合系数kp=0.59,机械品质因数Qm=3 113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低,谐振频率随温度的变化几乎都是正。 相似文献
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信息科学不断发展,对半导体科学研究提出了更高要求.微电子学的实验室水平已经进入纳米电子学范畴;光电子学、光电子和光子集成也不断发展;而纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学等领域的研究蓬勃开展,相关的新材料、新器件探索层出不穷.这些研究的不断深入、彼此之间的交叉融合,将会不断推动半导体科学的发展.文中简述了2002年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向,并附2002年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考. 相似文献
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MPEG—2是为了实现具有500个频道电缆电视系统和高清晰度电视的、惊人的未来电视世界所需的关键性标准。MPEG—2(活动图像编码专家组标准2)和 MPEG—1是 MPEG 的二个数字视频和音频压缩的标准,MPEG(活动图像编码专家组)是 ISO(国际标准组织)和 IEC(国际电工技术委员 相似文献
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