提拉单晶炉自动引晶技术的研究

该文从人工引晶工艺流程入手,结合提拉法单晶炉已有技术和温度测控技术,使用计算机编程技术和传感器测量技术完成人工引晶的各项步骤,实现了提拉法单晶炉引晶技术的全自动化,从而实现真正意义上的全自动单晶炉。     

二级分光无源光网络保护机制研究

二级级联分光无源光网络(PON)是当前光纤接入的应用热点.针对传统PON保护机制仅适用于一级分光系统的缺点,给出了二级分光无源光网络的各种保护策略并进行了可靠性分析.理论研究和数值分析结果表明,新的保护方案对二级分光PON系统的可靠性性能都有明显改善.     

全自动提拉单晶炉系统控制技术

详细阐述了一种全新单晶炉自动控制系统,该系统采用工业控制计算机为数据控制核心,上称重控制传感器进行晶体数据采集,利用感应加热或电阻加热方式控制单晶炉温场。通过对单晶炉控制系统特性研究和热场模型的正确推导,有效解决了系统温场及晶体结晶过程中引发的大滞后及系统非线性控制问题。试验结果表明,该系统控制稳定可靠,各项性能指标均达到国际先进水平。     

Structural analysis and crystal-field calculations of Nd³⁺ in Gd_x Lu_1-x TaO₄（x = 0.85） polycrytalline

The crystal structural parameters of Nd 3+-doped rare earth orthotantalate Gd x Lu 1 x TaO 4(x = 0.85) are determined by applying the Rietveld refinement to its X-ray diffraction,and its emission and excitation spectra at 77 K are analysed.The relativistic model of ab initio self-consistent DV-Xα method,which is applied to the cluster NdO 8 in Gd x Lu 1 x TaO 4,and the effective Hamiltonian model are used to investigate its spin-orbit and crystal-field parameters.The free-ions and crystal-field parameters are fitted to the experimental energy levels at 77 K with a root-mean-square deviation of 14.92 cm 1.According to the crystal-field calculations,96 levels of Nd 3+ are assigned.Finally,the fitting results of free-ions and crystal-field parameters are compared with those already reported for Nd 3+:YAlO 3.The results indicate that the free-ion parameters are similar to those of the Nd3+ in Gdx Lu1-x TaO4 and YAlO 3 hosts,and the crystal-field interaction of Nd3+ in Gdx Lu1-x TaO4 is stronger than that in YAlO 3.     

4英寸锑化铟晶体自动生长控制研究与实现

锑化铟(InSb)晶体是一种中波红外光电子材料,在工程实践领域已得到广泛应用。但锑化铟晶体受温场结构和其固有特性的影响,在生长过程中表现出对温度(功率)变化的敏感性和滞后性相矛盾的特点,导致在生长过程中自动控制较难。该文开展了针对锑化铟晶体对温度(功率)变化滞后性和敏感性的工艺研究与实验,分析了滞后时间与功率改变量之间的关系,通过算法解决了相应的问题,最终实现了4英寸(1英寸=2.54 cm)锑化铟晶体自动化控制生长。     

微下拉法晶体生长炉自动控制系统的研究

该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。     

溴化铈晶体的阴阳离子共掺生长方法研究

采用阴阳离子共掺法提高了溴化铈晶体质量。研究结果表明,通过掺杂F^-能有效消除晶体开裂、潮解等缺陷,同时掺杂Sr²⁺能提高晶体的光学线性输出及能量分辨率。采用改进的坩埚下降法进行晶体生长,掺杂摩尔分数为x(CeBr₃)=98%,x(SrBr₂)=2%,x(CeF₃)=10%时,生长出?45 mm×90 mm的溴化铈晶体毛坯,切割成的器件经¹³⁷Cs放射源662 keVγ线作用下能量分辨率可达4.0%。