用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层缺陷

光亮镀锡工艺由于成本低、无毒、镀层稳定性好而广泛应用于电子元器件引线的电镀.但因锡镀层与基体之间会发生原子的相互扩散,致使产品在储存、焊接或使用期间因温度效应而使某些重要的物理和化学性能,如钎焊性、导电性和防腐性变差。金属界面原子的热扩散行为与金属晶体的结构缺陷密切相关,因此应用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层在热处理过程中缺陷的运动规律,在理论和工艺方面都具有重要的意义。     

痕量砷流动注射在线还原氢化物发生原子吸收测定

方法采用流动注射停流技术使水及土壤浸出液中Ａｓ（Ｖ）在线还原为Ａｓ（Ⅲ），不经手工还原，用氢化物发生原子吸收光谱法直接测定砷的含量。含４ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ的样品溶液与３０％碘化钾溶液在编结式反应器中混合，并在采样环中停流４０ｓ，达完全还原后注入到载流中与硼氢化钠反应，采样速度５５次／ｈ，检出限（３δ）０．１μｇ／Ｌ，对自来水和土壤浸出液的加标回收结果满意。     

聚苯胺修饰电极上抗坏血酸与多巴安胺氧化峰的分离

本文介绍了一种分离抗坏血酸（ＡＡ）和多巴胺（ＤＡ）氧化峰的新方法。聚苯胺（ＰＡ）ＡＡ和ＤＡ有不同的催化性。因而在ＰＡ修饰电极上，ＡＡ和ＤＡ在不同的电位被氧化，从而解决了二者氧化峰不能分离的问题。实验表明，在ＰＡ膜电极上，ＡＡ和ＤＡ氧化峰可分开约１４０ｍＶ。     

天花粉蛋白的化学VI.用液光拉曼光谱研究天花粉蛋白的二级结构

由天花粉蛋白的水和重水溶液的激光拉曼光谱,测得酰胺III谱带1240cm[-1]和酰胺I谱带1632,1660cm[-1]对CH2弯曲模式1448cm[-1]的强度比值,按Lippert等建立的方程组作定量计算,求得天花粉蛋白的二级结构含量为α-螺旋43.5%,β-折叠31.3%和无序25.2%,它们与4A分辨率天花粉蛋白单晶X射线衍射法的结果相一致,同时,研究了上述溶液的冻干粉状固体的二级结构,经过冻干,使其中约10%的β-折叠转变成无序构象,而α-螺旋含量无明显变化,在水溶液中,由测得的I850/I830比值计算,天花粉蛋白中的酪氨酸残基约有805呈"暴露式"。     

混合质点系的一类几何恒等式及其应用

首先给出了混合质点系的概念,然后又给出了关于混合质点系的一类几何恒等式,并且给出了一个有趣的应用.     

一类非光滑Chua’s电路的同步控制

本文研究两个带x|x|非线性项的Chua’s电路的全局指数同步和全局同步的控制问题.证明这两个系统在未加控制时不可能同步,但设计不同的控制器可以实现这两个系统的全局指数同步和全局同步.     

提高复杂燃烧流场羟基示踪测速精度的方法

为了提高流速测量精度,研究OH荧光图像背景抑制的方法.分析识别复杂燃烧流场中存在的背景干扰,构建染噪的数值仿真模型;基于干扰图像和OH标记线信号图像的特性,采用空间变换思想,提出了自适应差分法消除发动机燃烧室剧烈反应区域的燃烧OH荧光干扰;利用空域上信号与背景残余的差别,采用空间滤波法优化背景抑制结果,最后对仿真模型和实验图片对比,验证了该方法的有效性,处理前后峰值信噪比提高了11.83dB,信噪比提高了8.66dB,速度计算误差改善到了1.2%.该方法可有效的抑制背景噪声,提高测速精度,满足激光诊断系统对测量精度的要求.     

基于光学Parity-Time对称微腔结构的大范围电场传感器

为解决传统电场传感器测量范围受限的技术难题,设计了一种基于光学Parity-Time(PT)对称掺杂电光介质的微腔结构,提出新的电场传感机制.利用传输矩阵方法计算结构的传输谱,发现独特的放大的缺陷模式.缺陷模式的峰值和波长位置均随外电场变化,由此可以利用缺陷模峰值变化和波长位置变化两种机制测量同一电场.测量范围仅受电光介质击穿电场的限制,可以为0—0.06 V/nm,几乎涵盖了可能的电场环境.对峰值变化传感机制,灵敏度范围38.042—47.558 nm/V;对波长变化传感机制,灵敏度范围18.357—18.642 nm2/V,在测量范围内平均分辨率为0.00925 V/nm.     

例谈提高“二轮复习”物理评讲课质量的策略

在高三后期,一节好的评讲课应该是通过对试题的评讲让学生养成一种主动对试题进行归纳、找出题目之间的联系、对所学内容进行总结和简化、达到动一点而牵动全体的习惯,而不是教师就题讲题、学生就题改错.     

EAST 装置电子回旋共振加热系统波纹圆波导研究*

在EAST装置上正在建设140GHz/4MW/1000s电子回旋共振加热(ECRH)系统,单个回旋管输出的1MW功率通过波纹圆波导传输到天线聚焦镜上,然后经天线反射镜进入等离子体。运用表面阻抗法对波纹圆波导进行了理论分析,针对EAST装置ECRH系统需求的140GHz波纹圆波导进行了设计研究,所设计的波导传输模式为HE11模,具备1MW连续波运行能力且欧姆损耗低于0.02d B/100m,同时分析了HE11模在波导口外辐射模式及其与TEM00模耦合特性。